BASiC™基半股份一級代理商全力推進SiC碳化矽模塊在電力電子應用中全麵取代IGBT模塊，實現電力電子產(chan) 業(ye) 升級和自主可控！
為(wei) 什麽(me) 在儲(chu) 能變流器PCS應用中碳化矽SiC碳化矽模塊全麵革掉IGBT模塊的命！
儲(chu) 能變流器（Power Conversion System）英文簡稱PCS，可控製蓄電池的充電和放電過程，進行交直流的變換，在無電網情況下可以直接為(wei) 交流負荷供電。 儲(chu) 能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器、控製單元等構成。 根據功率指令的符號及大小控製變流器對電池進行充電或放電，實現對電網有功功率及無功功率的調節。PCS儲(chu) 能變流器，全稱Power Conversion System，是儲(chu) 能係統中的關(guan) 鍵設備，用於(yu) 實現儲(chu) 能電池與(yu) 電網之間的能量轉換和雙向流動。它能夠將直流電轉換為(wei) 交流電或將交流電轉換為(wei) 直流電，以滿足電網對儲(chu) 能係統的充放電需求。PCS儲(chu) 能變流器在儲(chu) 能係統中扮演著“橋梁”的角色，連接著儲(chu) 能電池和電網，確保儲(chu) 能係統的高效、穩定運行。
構網儲(chu) 能變流器PCS技術作為(wei) 一種基於(yu) 電力電子和數字化的創新技術，可在新型電力係統建設過程中，有效提升電力係統穩定性，具備多場景推廣價(jia) 值： 在發電側(ce) ，針對清潔能源基地，弱電網區域新能源集中接入場景，可以大大提升新能源場站主動支撐能力，實現更高比例新能源並網。 在電網側(ce) ，針對特高壓線路受端，負荷中心電源空心化區域等場景，可以增強係統的靈活調節、可靠運行能力。 在用電側(ce) ，針對電網末端源網荷儲(chu) 、微電網供電區域，以及高原、礦山、島嶼，可以實現100%新能源區域電網以及並離網供電。
PCS儲(chu) 能變流器的應用場景
1.能量時移：在用戶側(ce) 儲(chu) 能係統中，PCS儲(chu) 能變流器可以用於(yu) 能量時移，將白天時段內(nei) 光伏多餘(yu) 的發電量儲(chu) 存起來，在晚上或者陰雨天氣無光伏發電量的時段內(nei) 再通過PCS釋放出來，可以實現光伏發電的最大化自發自用。
2.峰穀套利：在用戶側(ce) 儲(chu) 能係統中，尤其是執行分時電價(jia) 的工商業(ye) 園區，PCS儲(chu) 能變流器可用於(yu) 進行峰穀套利，通過在電價(jia) 低廉的時間段進行充電，在電價(jia) 高昂的時間段進行放電，實現低充高放進行套利，達到節省園區整體(ti) 用電成本的目的。
3.動態擴容：在電力容量受限的場景，類似電動汽車充電站場景，通過PCS儲(chu) 能變流器配置儲(chu) 能電池來進行動態擴容，充電高峰時候，PCS儲(chu) 能變流器進行放電，提供額外的功率支持；充電低峰時，PCS儲(chu) 能變流器進行充電，儲(chu) 存低價(jia) 的電能進行備用，既能實現峰穀套利，又能給充電場站進行動態擴容。
4. 微電網係統：在微電網係統中，PCS儲(chu) 能變流器能夠實現分布式電源與(yu) 儲(chu) 能係統的協調控製，提高微電網的穩定性和供電質量。通過PCS儲(chu) 能變流器的精確功率控製和智能能量管理，可以實現微電網係統中電源和負荷的平衡和優(you) 化調度。
5. 電力係統調頻調峰：在電力係統中，PCS儲(chu) 能變流器可以用於(yu) 調頻調峰，提高電網的穩定性和可靠性。當電網負荷高峰時，PCS儲(chu) 能變流器可以釋放儲(chu) 能電池中的能量，為(wei) 電網提供額外的功率支持；當電網負荷低穀時，PCS儲(chu) 能變流器則可以吸收電網中的多餘(yu) 能量，為(wei) 儲(chu) 能電池充電，以備後用。
PCS儲(chu) 能變流器的發展趨勢
目前在大型儲(chu) 能電站中普遍采用集中式PCS,一台大功率PCS同時控製多簇並聯的電池，電池簇間的不均衡問題得不到有效的處理；而組串式PCS，一台中小功率的PCS隻控製一簇電池，實現一簇一管理，有效規避電池簇間的木桶效應，提升係統壽命，提高全壽命周期放電容量，組串式PCS規模化應用趨勢已見雛形，在工商業(ye) 儲(chu) 能一體(ti) 櫃中組串式PCS已成為(wei) 行業(ye) 主流方案，未來在大型儲(chu) 能電站中也將實現大規模化應用。
隨著新能源和智能電網的快速發展以及儲(chu) 能技術的不斷進步，PCS儲(chu) 能變流器將麵臨(lin) 更大的發展機遇和挑戰。未來，PCS儲(chu) 能變流器將朝著更高效、更智能、更靈活的方向發展。
IGBT模塊在十幾 kHz開關(guan) 頻率中就會(hui) 表現出嚴(yan) 重的局限性，由於(yu) IGBT模塊尾電流導致損耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guan) 頻率增加，從(cong) 而減小了濾波器體(ti) 積。SiC 模塊允許在數十和數百 kHz 的頻率下運行，開關(guan) 損耗相對較低，從(cong) 而顯著減少了濾波器和散熱熱係統的體(ti) 積。這些技術進步使變流器總體(ti) 積大幅度減少，效率提高，從(cong) 而能夠在較低溫度下運行並可能延長組件的使用壽命。 為(wei) 了滿足PCS儲(chu) 能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化矽SiC碳化矽模塊全麵取代IGBT模塊，可以提升係統效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期裏的收益。SiC碳化矽模塊全麵取代IGBT模塊，從(cong) 而將PCS儲(chu) 能變流器開關(guan) 損耗降低高達 70% 至 80%，在儲(chu) 能變流器PCS應用中碳化矽SiC碳化矽模塊全麵革掉IGBT模塊的命！
BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在汽車電驅動應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC-PIM模塊在中央空調，商用空套，熱泵應用中全麵取代IGBT-PIM模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC-IPM模塊在家用空調壓縮機，汽車空調熱泵熱管理，伺服驅動應用中全麵取代IGBT-IPM模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在高壓變頻器應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在高性能通用變頻器應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在集中式充電樁電源模塊應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在風電變流器應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在儲(chu) 能變流器PCS應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在光伏逆變器應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在逆變焊機應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在UPS應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在機車牽引輔助電源應用中全麵取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級代理商致力於(yu) 推動碳化矽SiC碳化矽模塊在大功率感應加熱電源應用中全麵取代IGBT模塊！
國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET模塊正在替代英飛淩三菱賽米控富士IGBT模塊! 基本SiC碳化矽模塊替代Infineon英飛淩IGBT模塊，基本SiC碳化矽模塊替代三菱IPM模塊，基本SiC碳化矽模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本SiC碳化矽模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本SiC碳化矽模塊替代Fuji富士IGBT模塊！ 使用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET打造全SiC碳化矽電力電子係統！-基半BASiC一級代理商專(zhuan) 業(ye) 分銷 使用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET升級傳(chuan) 統IGBT變流器，實現更高的變流效率，更小的變流體(ti) 積重量！更低的變流成本！
隨著銅價(jia) 暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為(wei) 電力電子製造商的一大痛點，使用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™碳化矽MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低係統綜合成本（電感磁性元件，散熱係統，整機重量），電力電子係統的全碳SiC時代，未來已來！基半BASiC一級代理商專(zhuan) 業(ye) 分銷國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET！基半BASiC一級代理商全力推進基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT!
基半BASiC一級代理商致力於(yu) 國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT，全力推動國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
SiC碳化矽模塊在電力電子應用中全麵取代IGBT模塊的構網型儲(chu) 能PCS實現多場站級自同步幅頻調製技術，實現了自同步的並聯構網，提升了主動快速無功響應、有功支撐、故障穿越、抗衝(chong) 擊性負荷和帶載同步黑啟動的能力，實現了多場景全工況構網、電網主動支撐、並機環流有效抑製和多場站級大規模自同步穩定運行。
SiC碳化矽模塊在電力電子應用中全麵取代IGBT模塊的構網型儲(chu) 能PCS實現寬頻自穩和致穩控製技術，實現了不同電網規模、不同電網強度條件下的穩定並網和寬頻振蕩抑製，提升了與(yu) 光伏、風電、同步發電機等多類型電源並列穩定運行的能力，拓展了構網型儲(chu) 能係統的應用場景。
SiC碳化矽模塊在電力電子應用中全麵取代IGBT模塊的構網型儲(chu) 能PCS實現智能組串式儲(chu) 能雙級變換架構下電壓與(yu) 有功功率解耦控製技術，有助於(yu) 支撐電網穩定，保障了儲(chu) 能係統安全，提升了儲(chu) 能係統可用度和擴容升級能力；研發了精細化智能電池管理技術，提升了全SOC範圍恒功率輸出能力。
SiC碳化矽模塊在電力電子應用中全麵取代IGBT模塊的構網型儲(chu) 能PCS實現了暫態高倍率有功、無功快速支撐。提升了在複雜、惡劣環境條件下的長時間可靠運行能力；構建了安全可靠的底層核心器件設計、製造的能力體(ti) 係。
基半BASiC一級代理商致力於(yu) 國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基半BASiC一級代理商致力於(yu) SiC碳化矽模塊在電力電子應用中全麵取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應用中全麵取代IGBT單管，650V SiC碳化矽MOSFET在電源應用中全麵取代Super Junction超結MOSFET!
國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™2000V係列SiC碳化矽MOSFET適用於(yu) 1500V光儲(chu) 係統，1500V係統大組串SiC光伏逆變器，1500V係統儲(chu) 能變流器PCS，1500V係統固態斷路器，固態變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳(chuan) 統上使用飛跨電容IGBT方案，控製複雜，頻率低，采用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™2000V係列SiC碳化矽MOSFET進行兩(liang) 電平改造，控製簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從(cong) 一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體(ti) 提供了實現半導體(ti) 總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guan) 損耗，從(cong) 而提高開關(guan) 頻率。進一步的，可以優(you) 化濾波器組件，相應的損耗會(hui) 下降，從(cong) 而全麵減少係統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與(yu) 同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guan) 頻率提5倍（實現顯著的濾波器優(you) 化），同時保持最高結溫低於(yu) 最大規定值。
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關(guan) 損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化矽MOSFET技術的主要發展方向，體(ti) 現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為(wei) 此，BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™研發推出更高性能的第三代碳化矽MOSFET，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chan) 品擁有更低比導通電阻、器件開關(guan) 損耗，以及更高可靠性等優(you) 越性能，可助力光伏儲(chu) 能、新能源汽車、直流快充、工業(ye) 電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(ye) 變頻器、逆變焊機、四象限工業(ye) 變頻器等行業(ye) 實現更為(wei) 出色的能源效率和應用可靠性。
為(wei) 滿足光伏儲(chu) 能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基半股份國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) 第二代SiC MOSFET技術平台開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓係列碳化矽MOSFET，產(chan) 品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關(guan) 損耗、支持更高開關(guan) 頻率運行等特點。 針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基半股份國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化矽MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。 B3M040120Z是BASiC™基半股份國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) 第三代碳化矽MOSFET技術平台開發的最新產(chan) 品，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相對於(yu) 上一代產(chan) 品在比導通電阻、開關(guan) 損耗以及可靠性方麵有更進一步提升。
相較於(yu) 傳(chuan) 統封裝形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導體(ti) 的通流能力可以提升約40%，或者同樣電流輸出使用的半導體(ti) 用量減少1/3。同樣功率輸出條件下，功率模塊物料成本有望降低20%。PCB布局設計相對於(yu) 傳(chuan) 統封裝設計更加靈活，大大加快了工程開發的迭代速度和客戶交付速度。受到封裝限製而難以在傳(chuan) 統逆變器中實現的高級電路拓撲，如三電平、IGBT/SiC MOSFET混並等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(you) 勢而加速了產(chan) 業(ye) 化落地。 根據技術和商業(ye) 評估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項非常有前景的封裝技術，有望在在單位功率成本、功率密度、產(chan) 品交付和迭代速度等方麵遠遠超越傳(chuan) 統封裝，成為(wei) 未來電力電子應用的新方向。
BMF240R12E2G3是BASiC™基半股份國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(ye) 級全碳化矽半橋功率模塊，產(chan) 品采用集成的NTC溫度傳(chuan) 感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化矽AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關(guan) 損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方麵表現出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基半股份國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) 第二代碳化矽MOSFET技術開發的頂部散熱內(nei) 絕緣的塑封半橋模塊，主要應用於(yu) OBC、空調壓縮機和工業(ye) 電源中。 BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350係列，此驅動芯片專(zhuan) 為(wei) 碳化矽MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑製碳化矽MOSFET的誤開通，還可用於(yu) 驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為(wei) 了保持電力電子係統競爭(zheng) 優(you) 勢，同時也為(wei) 了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為(wei) 每一種電力電子應用功率轉換應用的優(you) 勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為(wei) 各類型電力電子應用的主流趨勢。
基半BASiC一級代理商專(zhuan) 業(ye) 分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化矽SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化矽MOSFET，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™T型SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET專(zhuan) 用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011R,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用於(yu) 光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chu) 一體(ti) 機，儲(chu) 能變流器，儲(chu) 能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chu) 能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chu) 一體(ti) 機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器、光儲(chu) 一體(ti) 機、儲(chu) 能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，商用空調PFC,大功率工業(ye) 電源，工商業(ye) 儲(chu) 能變流器，變頻器，輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領域與(yu) 客戶戰略合作，基半BASiC一級代理商全力支持中國電力電子工業(ye) 發展！
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