 基本公司車規級SiC碳化矽MOSFET加速替代汽車裏的IGBT！ 使用基本公司車規級SiC碳化矽MOSFET打造全碳汽車功率電力電子係統！-傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷 使用基本公司車規級SiC碳化矽MOSFET升級傳(chuan) 統汽車IGBT應用，實現更高的汽車功率電力電子係統效率，更小的汽車功率電力電子係統重量！更低的汽車功率電力電子係統組件成本！
隨著銅價(jia) 暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為(wei) 電力電子製造商的一大痛點，使用基本公司碳化矽MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低係統綜合成本（電感磁性元件，散熱係統，整機重量），電力電子係統的全碳SiC時代，未來已來！傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷基本公司SiC碳化矽MOSFET！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 基本公司國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT，全力推動基本公司國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
基本公司自主研發的1200V 80mΩ碳化矽MOSFET AB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證，產(chan) 品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴(yan) 苛要求，至此公司獲車規級認證的碳化矽功率器件產(chan) 品家族再添一員。
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 基本公司國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
AB2M080120H基於(yu) 第二代碳化矽MOSFET技術平台研發，產(chan) 品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關(guan) 損耗，可支持更高開關(guan) 頻率運行等特點，可應用於(yu) 車載OBC、車載DCDC及汽車空調壓縮機領域。此次通過AEC-Q101認證，顯示AB2M080120H碳化矽MOSFET器件在極端環境下具備優(you) 異性能，滿足汽車行業(ye) 高功率密度、高能效、高可靠性的需求。此外，基本公司同步推出了1200V 80mΩ和40mΩ規格的車規級碳化矽MOSFET係列產(chan) 品，封裝覆蓋TO-247-3、TO-247-4和TO-263-7，可滿足汽車行業(ye) 多樣性的應用場景需求。
AEC-Q101認證是汽車電子委員會(hui) (Automotive Electronics Council)製定的車用分立半導體(ti) 元件可靠性測試標準，在全球汽車產(chan) 業(ye) 都具有極高的權威性。AEC-Q101認證門檻高，測試項目覆蓋廣，對分立器件的設計質量、安全性、可靠性要求極為(wei) 嚴(yan) 苛，是分立半導體(ti) 廠家進入汽車領域的重要通行證。
基本公司自2017年開始布局車規級碳化矽器件研發和製造，逐步建立起規範嚴(yan) 謹的質量管理體(ti) 係，將質量管理貫穿至設計、開發到客戶服務的各業(ye) 務過程中，保障產(chan) 品與(yu) 服務質量。公司分別在深圳、無錫投產(chan) 車規級碳化矽芯片產(chan) 線和汽車級碳化矽功率模塊專(zhuan) 用產(chan) 線；自主研發的汽車級碳化矽功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(ge) 車型定點，是國內(nei) 第一批碳化矽模塊量產(chan) 上車的頭部企業(ye) 。
隨著新能源汽車行業(ye) 的快速發展，市場對高性能功率半導體(ti) 的需求日益增長。基本公司將繼續加大研發投入，提高質量管理能力，優(you) 化產(chan) 品性能，為(wei) 汽車行業(ye) 客戶研發更多高性能的車規級碳化矽功率器件產(chan) 品，全力助推碳中和願景下的汽車產(chan) 業(ye) 電動化技術創新發展！
IGBT芯片技術不斷發展，但是從(cong) 一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體(ti) 提供了實現半導體(ti) 總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guan) 損耗，從(cong) 而提高開關(guan) 頻率。進一步的，可以優(you) 化濾波器組件，相應的損耗會(hui) 下降，從(cong) 而全麵減少係統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與(yu) 同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guan) 頻率提5倍（實現顯著的濾波器優(you) 化），同時保持最高結溫低於(yu) 最大規定值。
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關(guan) 損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化矽MOSFET技術的主要發展方向，體(ti) 現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為(wei) 此，BASiC™基本公司研發推出更高性能的第三代碳化矽MOSFET，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chan) 品擁有更低比導通電阻、器件開關(guan) 損耗，以及更高可靠性等優(you) 越性能，可助力光伏儲(chu) 能、新能源汽車、直流快充、工業(ye) 電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(ye) 變頻器、逆變焊機、四象限工業(ye) 變頻器等行業(ye) 實現更為(wei) 出色的能源效率和應用可靠性。
為(wei) 滿足光伏儲(chu) 能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基於(yu) 第二代SiC MOSFET技術平台開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓係列碳化矽MOSFET，產(chan) 品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關(guan) 損耗、支持更高開關(guan) 頻率運行等特點。 針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化矽MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。 B3M040120Z是BASiC™基本公司基於(yu) 第三代碳化矽MOSFET技術平台開發的最新產(chan) 品，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相對於(yu) 上一代產(chan) 品在比導通電阻、開關(guan) 損耗以及可靠性方麵有更進一步提升。 BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基於(yu) PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(ye) 級全碳化矽半橋功率模塊，產(chan) 品采用集成的NTC溫度傳(chuan) 感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化矽AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關(guan) 損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方麵表現出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基於(yu) 第二代碳化矽MOSFET技術開發的頂部散熱內(nei) 絕緣的塑封半橋模塊，主要應用於(yu) OBC、空調壓縮機和工業(ye) 電源中。 BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350係列，此驅動芯片專(zhuan) 為(wei) 碳化矽MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑製碳化矽MOSFET的誤開通，還可用於(yu) 驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為(wei) 了保持電力電子係統競爭(zheng) 優(you) 勢，同時也為(wei) 了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為(wei) 每一種電力電子應用功率轉換應用的優(you) 勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為(wei) 各類型電力電子應用的主流趨勢。
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化矽SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化矽MOSFET，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET專(zhuan) 用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用於(yu) 光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chu) 一體(ti) 機，儲(chu) 能變流器，儲(chu) 能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chu) 能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chu) 一體(ti) 機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器、光儲(chu) 一體(ti) 機、儲(chu) 能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，大功率工業(ye) 電源，工商業(ye) 儲(chu) 能變流器，變頻器，變槳伺服驅動輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領域與(yu) 客戶戰略合作，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(ye) 發展！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-專(zhuan) 業(ye) 汽車連接器及功率半導體(ti) (SiC碳化矽MOSFET單管，SiC碳化矽MOSFET模塊，碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力於(yu) 服務中國工業(ye) 電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chan) 業(ye) 鏈。在新型能源體(ti) 係的發展趨勢場景下，融合數字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲(chu) 能管理技術，以實現發電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網、荷、儲(chu) 、車”的協同發展。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-以技術創新為(wei) 導向，將不斷創新技術和產(chan) 品，堅定不移與(yu) 產(chan) 業(ye) 和合作夥(huo) 伴攜手，積極參與(yu) 數字能源產(chan) 業(ye) 生態，為(wei) 客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與(yu) 線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與(yu) 線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創新型車規級互聯產(chan) 品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鍾內(nei) 為(wei) EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用於(yu) 地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創新為(wei) 導向的各類功率半導體(ti) 器件：車規碳化矽(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chan) 碳化矽(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化矽MOSFET，伺服驅動SiC碳化矽MOSFET，逆變焊機國產(chan) SiC碳化矽MOSFET，OBC車載SiC碳化矽MOSFET，儲(chu) 能變流器PCS碳化矽MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化矽MOSFET，國產(chan) 氮化镓GaN，隔離驅動IC等產(chan) 品，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）全麵服務於(yu) 中國新能源汽車行業(ye) ，新能源汽車電控係統，電力電子裝備，新能源汽車充電樁係統，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網三統一充電模塊光儲(chu) 變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲(chu) ，智能組串式儲(chu) 能等行業(ye) 應用，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）為(wei) 實現零碳發電、零碳數據中心、零碳網絡、零碳家庭等新能源發展目標奮鬥，從(cong) 而為(wei) 實現一個(ge) 零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時代！
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