傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-專(zhuan) 業(ye) 汽車連接器及功率半導體(ti) (基本半導體(ti) SiC單管，基本半導體(ti) SiC模塊，基本半導體(ti) 驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力於(yu) 服務中國工業(ye) 電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chan) 業(ye) 鏈。相較傳(chuan) 統汽車，新能源汽車在電驅動單元、電氣設備的數量上都有較大的增加，內(nei) 部動力電流及信息電流錯綜複雜，特別是高電流、高電壓的電驅動係統對連接器的可靠性、體(ti) 積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對連接器產(chan) 品需求量及質量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車、充電設施上均有應用。整車上高壓連接器主要應用場景有：DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關(guan) 、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調、交流充電口等。在電動汽車中，碳化矽功率器件的應用主要為(wei) 兩(liang) 個(ge) 方向，一個(ge) 用於(yu) 電機驅動逆變器（電機控製器），另一個(ge) 用於(yu) 車載電源係統，主要包括：電源轉換係統（車載DC/DC）、車載充電係統（OBC）、車載空調係統（PTC和空壓機）等方麵。碳中和、智能化引領人類社會(hui) 進入生態文明發展時代，科技創新為(wei) 能源、交通、信息產(chan) 業(ye) 打造最強的發展動能。科技創新融合數字技術和電力電子技術，為(wei) 新型電力係統能源基礎設施、新型電動出行能源基礎設施、新型數字產(chan) 業(ye) 能源基礎設施等‘三新能源基礎設施’，引領產(chan) 業(ye) 高質量發展。”雙碳目標不僅(jin) 僅(jin) 是技術變革，更是一場廣泛而深刻的社會(hui) 變革，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）堅持在技術和產(chan) 品方麵持續創新，為(wei) 智能光風儲(chu) 發電機提供高品質SiC碳化矽功率器件及驅動IC，堅定不移地與(yu) 客戶，解決(jue) 方案夥(huo) 伴，產(chan) 業(ye) 夥(huo) 伴一起，攜手構建數字能源產(chan) 業(ye) 生態。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）將與(yu) 產(chan) 業(ye) 界共同擁抱數字化、智能化，主動安全構網，攜手邁入光風儲(chu) 發電機新時代，加速光儲(chu) 成為(wei) 主力能源！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 基本半導體(ti) 國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT，全力推動基本半導體(ti) 國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
汽車連接器廣泛應用於(yu) 汽車的各個(ge) 子係統中。汽車連接器可以分為(wei) 傳(chuan) 輸電流的低壓/高壓連接器和傳(chuan) 輸數據信號的高頻高速連接器。汽車電動化、 智能化、網聯化趨勢下，汽車電子應用將從(cong) 中高端車型向低端車型滲透，在整車製 造成本中的占比不斷提高，對汽車連接器的需求也與(yu) 日俱增。汽車連接器作為(wei) 各個(ge) 電子係統連接的信號樞紐，廣泛應用於(yu) 動力係統、車身係統、信息控製係統、安全係統、車載設備等方麵。800V高壓平台對電動車內(nei) 部高壓連接器的數量和質量提出更高要求，同時也促使充電槍向大功率、液冷方向發展。 整車廠加速快充布局，國內(nei) 外企業(ye) 紛紛跟進800V高壓平台。近兩(liang) 年高壓快充路 線受到越來越多主機廠的青睞，高壓連接器在電動汽車中扮演連接高壓係統單元並傳(chuan) 遞能量的關(guan) 鍵角色。高頻高速連接器覆蓋了從(cong) 最基礎的車身控製、定位係統，到4K攝像頭、高清視頻、 信息娛樂(le) ，再到輔助駕駛、智能駕駛等眾(zhong) 多應用場景。
脫碳已經成為(wei) 業(ye) 界的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發電逐漸成為(wei) 矚目的焦點，在低碳化、電氣化、數字化、智能化的趨勢下，未來能源世界和數字世界將深度融合發展，能源產(chan) 業(ye) 已經進入到數字能源新時代。新型能源體(ti) 係：全球能源低碳轉型按下加速鍵，預計到2030年，全球將發展三倍可再生能源，光伏安裝量每年將超過550GW。隨著光伏發電效率不斷提升，“光儲(chu) 平價(jia) ”時代即將帶來，光伏+儲(chu) 能將成為(wei) 最經濟、最普適的電源，以新能源為(wei) 主體(ti) 的新型能源體(ti) 係正加速構建。
新型交通體(ti) 係：電動化加速，交通能源融合，電氣化新型交通體(ti) 係正在快速形成。以基本半導體(ti) 碳化矽和氮化镓為(wei) 代表的第三代功率半導體(ti) 技術已經成熟，電動汽車全麵走向高壓化。1秒1公裏、5分鍾充電200公裏、加油式的充電體(ti) 驗已經成為(wei) 現實。預計未來十年，電動汽車保有量將增長10倍，從(cong) 而推動充電量、充電樁的需求快速大幅增長。
創新智能世界：人工智能技術爆炸式發展，算力進一步加速增長。以ChatGPT、Sora為(wei) 先進代表的人工智能正在向各行各業(ye) 加速滲透，驅動生產(chan) 力跨越式發展。AI正重塑千行百業(ye) ，並將給包括能源產(chan) 業(ye) 在內(nei) 的各個(ge) 產(chan) 業(ye) 帶來革命性變化。
能源基礎設施建設將迎來巨變，數字技術與(yu) 人工智能技術的融合，數字技術與(yu) 電力電子技術的融合，源網荷儲(chu) 的融合，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）持續提供高品質功率半導體(ti) 新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發電，工商業(ye) 儲(chu) 能變流器，電動汽車電機主驅，光伏逆變器，儲(chu) 能變流器PCS，工業(ye) 電源等領域與(yu) 客戶深入合作，傾(qing) 佳電子（Changer Tech持續服務客戶的供應鏈及新產(chan) 品開發，在數字化與(yu) 智能化的推動下，新興(xing) 的能源係統將不斷湧現，新能源的商業(ye) 模式也將實現閉環，全力支持中國新能源汽車及電力電子工業(ye) 發展！Changer Tech continues to serve customers' supply chains and new product development. Driven by digitalization and intelligence, emerging energy systems will continue to emerge, and new energy business models will also achieve closed loops, fully supporting new energy vehicles. and the development of the power electronics industry!
在全球碳中和目標的持續推進下，光儲(chu) 產(chan) 業(ye) 迎來了空前的發展機遇。組件、儲(chu) 能、構網、數字化等單點技術創新正走向融合創新，將加速構建以光風儲(chu) 等新能源為(wei) 主體(ti) 的新型電力係統。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 聚焦Bit（數字技術）、Watt（電力電子技術）、Heat（熱管理技術）和Battery（儲(chu) 能管理技術）等4T技術，為(wei) 智能光風儲(chu) 發電機提供基本半導體(ti) SiC碳化矽功率器件及基本半導體(ti) 驅動IC，持續為(wei) 客戶和產(chan) 業(ye) 創造價(jia) 值。
近年來，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-著力推廣基本半導體(ti) 國產(chan) 碳化矽SiC功率器件，基本半導體(ti) 國產(chan) SiC-MOSFET，基本半導體(ti) 國產(chan) SiC-MOSFET功率模塊，國產(chan) 氮化镓GaN HEMT以及配套的基本半導體(ti) 隔離驅動IC，自舉(ju) 驅動IC,不斷在高壓汽車電驅係統、高壓快充樁、消費電子適配器，數據中心、通訊基站電源、新型電力係統等領域拓展市場。除了車載應用，SiC碳化矽的替代IGBT方案開始在工業(ye) 的UPS係統（不間斷電源）、軌道交通等領域推出。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-專(zhuan) 業(ye) 功率半導體(ti) (IGBT單管，IGBT模塊，碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領域，在功率器件方麵發揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開關(guan) 損耗、更好的柵氧保護是碳化矽MOSFET技術的主要發展趨勢，體(ti) 現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化矽器件的高功率密度、高結溫特性、高頻特性要求，也對現有封裝技術提出更高的要求。由於(yu) 碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN在導通損耗和開關(guan) 損耗方麵的出色性能，可以大大降低電力電子方麵應用的能耗。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 注於(yu) 人類未來發展的領域，包括出行和可再生能源。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）聚焦新能源汽車市場，新能源汽車是最大的增長領域（傾(qing) 佳提供電動汽車高壓連接器及線束，電動汽車主驅用SiC碳化矽及IGBT功率模塊），以及汽車電子智能係統（傾(qing) 佳提供車規級互聯產(chan) 品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器）。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）同時聚焦工業(ye) 市場的能源基礎設施，尤其是充電站和充電基礎設施，包括能源產(chan) 生、存儲(chu) 以及能源的分配（傾(qing) 佳提供功率器件SiC碳化矽分立器件及功率模塊，大功率連接器，隔離驅動IC等）。
能源產(chan) 業(ye) 迎來增長與(yu) 變革“發電-轉發-儲(chu) 能-配電-用電-管管理”全鏈路智能化；源網荷儲(chu) 協同，電網、站點供電係統、負載之間，打破信息孤島，實現“源網荷儲(chu) ”智能協同，能量流和信息流雙向交互；儲(chu) 能技術多元化，通信儲(chu) 能在材料、應用場景、管理技術等維度上，朝著多元化方向演進。
隨著汽車越來越智能化，對於(yu) 連接器在未來的智能汽車上，絕不會(hui) 僅(jin) 僅(jin) 作為(wei) 一個(ge) 電連接點進行傳(chuan) 輸，這個(ge) 和傳(chuan) 統汽車會(hui) 有非常本質上的區別， 未來的連接器有可能會(hui) 變成模塊化，其功能會(hui) 隨著不同的汽車部位應用場景，功能也會(hui) 有所不同；同時智能駕駛的出現會(hui) 讓連接對於(yu) 傳(chuan) 輸的穩定性變成強製條件，對於(yu) 電性能的可靠性，以及其他性能都會(hui) 提到更高一個(ge) 要求等級；傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-專(zhuan) 業(ye) 代理的汽車智能互聯連接器與(yu) 線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與(yu) 線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，基本半導體(ti) 碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN引導電源技術轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決(jue) 方案，以減少導通損耗和碳排放。在整個(ge) 能源轉換鏈中，碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN的節能潛力可為(wei) 實現長期的業(ye) 界節能目標作出貢獻。基本半導體(ti) 碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應用場景中為(wei) 能效提升作出貢獻。
對於(yu) 通用應用，基本半導體(ti) SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從(cong) 而將開關(guan) 損耗降低高達 70% 至 80%，具體(ti) 取決(jue) 於(yu) 轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guan) 的較高損耗可能成為(wei) 一個(ge) 重要的考慮因素。熱管理會(hui) 增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關(guan) 速度會(hui) 增加電容器和電感器等無源元件的成本。從(cong) 整體(ti) 係統成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經成為(wei) 各類新的電力電子設計中的主流趨勢。基本半導體(ti) SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化矽導熱性更強，可實現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。
Si IGBT 的一個(ge) 顯著缺點是它們(men) 極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控製地升高時，就會(hui) 發生熱失控，導致器件發生故障並最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或製造業(ye) ，熱失控可能是一個(ge) 重大的設計風險。基本半導體(ti) SiC MOSFET 更適合溫度較高的環境條件空間，例如汽車和工業(ye) 應用。此外，鑒於(yu) 其導熱性，基本半導體(ti) SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻係統的需求，從(cong) 而有可能減小整體(ti) 係統尺寸並降低係統成本。由於(yu) 基本半導體(ti) SiC MOSFET 的工作開關(guan) 頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們(men) 非常適合需要精確電機控製的應用。高開關(guan) 頻率在自動化製造中至關(guan) 重要，其中高精度伺服電機用於(yu) 工具臂控製、精密焊接和精確物體(ti) 放置。
基本半導體(ti) SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關(guan) 速度、更低的開關(guan) 損耗和更薄的有源區運行，從(cong) 而實現效率更高、開關(guan) 頻率更高、更節省空間的設計。因此，基本半導體(ti) SiC MOSFET 正成為(wei) 電源轉換應用中優(you) 於(yu) 傳(chuan) 統矽（IGBT,MOSFET）的首選。