 國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET模塊正在替代英飛淩三菱賽米控富士IGBT模塊! 基本SiC模塊替代Infineon英飛淩IGBT模塊，基本SiC模塊替代三菱IPM模塊，基本SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊！ 使用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET打造全SiC碳化矽電力電子係統！-傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷 使用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET升級傳(chuan) 統IGBT變流器，實現更高的變流效率，更小的變流體(ti) 積重量！更低的變流成本！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET模塊在電力電子應用全麵取代IGBT模塊國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET單管在電力電子應用中全麵取代IGBT國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET650V國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電源應用中全麵取代super junction超結MOSFET!
隨著銅價(jia) 暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為(wei) 電力電子製造商的一大痛點，使用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™碳化矽MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低係統綜合成本（電感磁性元件，散熱係統，整機重量），電力電子係統的全碳SiC時代，未來已來！傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™SiC碳化矽MOSFET！ 傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT，全力推動國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™2000V係列SiC碳化矽MOSFET-國產(chan) 替代英飛淩IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。
基本公司™SiC碳化矽MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛淩FF900R12ME7W_B11，FF900R17ME7W_B11，FF450R12KT4，FF600R12ME4_B72，FF750R12ME7_B11，FF900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，FF600R12KE4
基本公司™SiC碳化矽MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17
基本公司™SiC碳化矽MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™2000V係列SiC碳化矽MOSFET適用於(yu) 1500V光儲(chu) 係統，1500V係統大組串SiC光伏逆變器，1500V係統儲(chu) 能變流器PCS，1500V係統固態斷路器，固態變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳(chuan) 統上使用飛跨電容IGBT方案，控製複雜，頻率低，采用國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™2000V係列SiC碳化矽MOSFET進行兩(liang) 電平改造，控製簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從(cong) 一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體(ti) 提供了實現半導體(ti) 總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guan) 損耗，從(cong) 而提高開關(guan) 頻率。進一步的，可以優(you) 化濾波器組件，相應的損耗會(hui) 下降，從(cong) 而全麵減少係統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與(yu) 同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guan) 頻率提5倍（實現顯著的濾波器優(you) 化），同時保持最高結溫低於(yu) 最大規定值。
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關(guan) 損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化矽MOSFET技術的主要發展方向，體(ti) 現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為(wei) 此，BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™研發推出更高性能的第三代碳化矽MOSFET，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chan) 品擁有更低比導通電阻、器件開關(guan) 損耗，以及更高可靠性等優(you) 越性能，可助力光伏儲(chu) 能、新能源汽車、直流快充、工業(ye) 電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(ye) 變頻器、逆變焊機、四象限工業(ye) 變頻器等行業(ye) 實現更為(wei) 出色的能源效率和應用可靠性。
為(wei) 滿足光伏儲(chu) 能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) 第二代SiC MOSFET技術平台開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓係列碳化矽MOSFET，產(chan) 品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關(guan) 損耗、支持更高開關(guan) 頻率運行等特點。 針對新能源汽車的應用需求，BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化矽MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。 B3M040120Z是BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) 第三代碳化矽MOSFET技術平台開發的最新產(chan) 品，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相對於(yu) 上一代產(chan) 品在比導通電阻、開關(guan) 損耗以及可靠性方麵有更進一步提升。 BMF240R12E2G3是BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(ye) 級全碳化矽半橋功率模塊，產(chan) 品采用集成的NTC溫度傳(chuan) 感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化矽AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關(guan) 損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方麵表現出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™基於(yu) 第二代碳化矽MOSFET技術開發的頂部散熱內(nei) 絕緣的塑封半橋模塊，主要應用於(yu) OBC、空調壓縮機和工業(ye) 電源中。 BASiC™國產(chan) SiC碳化矽MOSFET功率器件供應商-基本公司™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350係列，此驅動芯片專(zhuan) 為(wei) 碳化矽MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑製碳化矽MOSFET的誤開通，還可用於(yu) 驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為(wei) 了保持電力電子係統競爭(zheng) 優(you) 勢，同時也為(wei) 了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為(wei) 每一種電力電子應用功率轉換應用的優(you) 勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為(wei) 各類型電力電子應用的主流趨勢。
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化矽SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化矽MOSFET，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET專(zhuan) 用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用於(yu) 光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chu) 一體(ti) 機，儲(chu) 能變流器，儲(chu) 能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chu) 能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chu) 一體(ti) 機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在汽車電驅動，新能源汽車電驅，汽車碳化矽電驅動，光伏逆變器、光儲(chu) 一體(ti) 機、儲(chu) 能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，製氫電源，伺服驅動，電機邊沁脾氣，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，大功率工業(ye) 電源，工商業(ye) 儲(chu) 能變流器，變頻器，輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領域與(yu) 客戶戰略合作，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(ye) 發展！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-專(zhuan) 業(ye) 汽車連接器及功率半導體(ti) (SiC碳化矽MOSFET單管，SiC碳化矽MOSFET模塊，碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力於(yu) 服務中國工業(ye) 電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chan) 業(ye) 鏈。在新型能源體(ti) 係的發展趨勢場景下，融合數字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲(chu) 能管理技術，以實現發電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網、荷、儲(chu) 、車”的協同發展。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-以技術創新為(wei) 導向，將不斷創新技術和產(chan) 品，堅定不移與(yu) 產(chan) 業(ye) 和合作夥(huo) 伴攜手，積極參與(yu) 數字能源產(chan) 業(ye) 生態，為(wei) 客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與(yu) 線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與(yu) 線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創新型車規級互聯產(chan) 品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鍾內(nei) 為(wei) EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用於(yu) 地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創新為(wei) 導向的各類功率半導體(ti) 器件：車規碳化矽(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chan) 碳化矽(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化矽MOSFET，伺服驅動SiC碳化矽MOSFET，逆變焊機國產(chan) SiC碳化矽MOSFET，OBC車載SiC碳化矽MOSFET，儲(chu) 能變流器PCS碳化矽MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化矽MOSFET，國產(chan) 氮化镓GaN，隔離驅動IC等產(chan) 品，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）全麵服務於(yu) 中國新能源汽車行業(ye) ，新能源汽車電控係統，電力電子裝備，新能源汽車充電樁係統，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網三統一充電模塊光儲(chu) 變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲(chu) ，智能組串式儲(chu) 能等行業(ye) 應用，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）為(wei) 實現零碳發電、零碳數據中心、零碳網絡、零碳家庭等新能源發展目標奮鬥，從(cong) 而為(wei) 實現一個(ge) 零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時代！
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