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企業新聞

“鑫威源”實現高性能氮化镓激光芯片研製及產線通線試產

fun88网页下载 來源:武漢鑫威源2024-10-12 我要評論(0 )   

2024年9月,武漢鑫威源電子科技有限公司內(nei) 部傳(chuan) 來喜訊,該企業(ye) 在高性能氮化镓半導體(ti) 激光器芯片方麵取得重大技術突破,同時氮化镓半導體(ti) 激光器芯片產(chan) 線順利完成通線試產(chan) 。...

2024年9月,武漢鑫威源電子科技有限公司內(nei) 部傳(chuan) 來喜訊,該企業(ye) 在高性能氮化镓半導體(ti) 激光器芯片方麵取得重大技術突破,同時氮化镓半導體(ti) 激光器芯片產(chan) 線順利完成通線試產(chan) 。


武漢鑫威源是一家專(zhuan) 注於(yu) 氮化镓半導體(ti) 激光器芯片的設計、開發與(yu) 製造的高新技術企業(ye) ,致力於(yu) 推動國產(chan) 氮化镓半導體(ti) 激光器的產(chan) 業(ye) 化進程。在江夏區政府及相關(guan) 部門的大力支持下,鑫威源公司完成了廠房建設。廠房位於(yu) 江夏經開區大橋智能製造產(chan) 業(ye) 園,於(yu) 2024年4月完成了廠房建設,同時,無塵車間內(nei) 的恒溫恒濕、淨化、水處理及安全係統也相繼達標並投入使用。


據悉,該企業(ye) 在項目團隊的不懈努力下,廠房竣工後迅速完成了超過一百台套製造設備的安裝和調試,成功打通了芯片製造產(chan) 線。在廠區內(nei) ,公司完成了相關(guan) 技術能力的轉移,並順利進行了產(chan) 品試驗生產(chan) 。在同年9月,鑫威源實現了藍光450nm激光芯片的重大技術突破:閾值電流小於(yu) 0.25A,功率大於(yu) 7W@3.5A,光電轉換效率WPE達到45%,芯片綜合技術指標處於(yu) 國內(nei) 頂尖水平。產(chan) 品技術可以滿足市場對大功率氮化镓半導體(ti) 激光器的應用要求,為(wei) 後續的量產(chan) 奠定了堅實的基礎。


作為(wei) 新興(xing) 光電子行業(ye) 的高科技企業(ye) ,武漢鑫威源電子科技有限公司旨在建設一流的氮化镓大功率半導體(ti) 激光器全流程的研究及生產(chan) 平台,企業(ye) 相關(guan) 負責人表示:在項目投產(chan) 後,將彌補國內(nei) 白,企業(ye) 也會(hui) 將促進氮化镓半導體(ti) 激光器在國內(nei) 的應用和發展作為(wei) 己任,持續推動行業(ye) 技術進步和產(chan) 業(ye) 升級。


此次通線試產(chan) 的成功,不僅(jin) 展示了武漢鑫威源在氮化镓激光芯片技術領域的強大實力,也標誌著企業(ye) 在實現國產(chan) 氮化镓半導體(ti) 激光器產(chan) 業(ye) 化方麵邁出了關(guan) 鍵一步。未來,武漢鑫威源將繼續致力於(yu) 技術創新和產(chan) 品質量提升,為(wei) 國內(nei) 外市場提供高性能、可靠的氮化镓半導體(ti) 激光器產(chan) 品,助力光電子行業(ye) 的蓬勃發展。


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