三星電子周一宣布，發現了一種全新半導體(ti) 材料 “無定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，簡稱 a-BN”，並表示有望推動下一代半導體(ti) 芯片的加速發展。

近年來，三星 SAIT一直在研究二維（2D）材料具有單原子層的晶體(ti) 材料的研究和開發。具體(ti) 而言，該研究所一直致力於(yu) 石墨烯的研究和開發，並在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發新的石墨烯晶體(ti) 管以及生產(chan) 大麵積單晶晶片的新方法。石墨烯。除了研究和開發石墨烯外，SAIT還致力於(yu) 加速材料的商業(ye) 化。

“為(wei) 了增強石墨烯與(yu) 基於(yu) 矽的半導體(ti) 工藝的兼容性，應在低於(yu) 400°C 的溫度下在半導體(ti) 襯底上進行晶圓級石墨烯生長。” SAIT的石墨烯項目負責人兼首席研究員 Shin Hyeon-Jin Shin 表示。“我們(men) 還在不斷努力，將石墨烯的應用範圍擴展到半導體(ti) 以外的領域。”

新發現的材料稱為(wei) 無定形氮化硼（a-BN），由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。盡管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上 a-BN 的分子結構使其與(yu) 白色石墨烯具有獨特的區別。

無定形氮化硼具有 1.78 的同類最佳的超低介電常數，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電幹擾，還證明了該材料可以在僅(jin) 400°C 的低溫下以晶圓級生長。因此，預計無定形氮化硼將廣泛應用於(yu) 諸如 DRAM 和 NAND 解決(jue) 方案的半導體(ti) ，尤其是在用於(yu) 大型服務器的下一代存儲(chu) 器解決(jue) 方案中。

IT之家了解到，SAIT副總裁兼無機材料實驗室負責人Park Seongjun Park表示：“最近，人們(men) 對2D材料及其衍生的新材料的興(xing) 趣不斷增加。但是，將材料應用於(yu) 現有的半導體(ti) 工藝仍然存在許多挑戰，我們(men) 將繼續開發新材料來引領半導體(ti) 範式的轉變。”