半導體行業內裝備材料是牽動行業壯大發展的關鍵，尤其高端光刻機更是“工業皇冠冠上的明珠”。在國家02專項多年支持下，國內在長春國科精密與中國科學院上海光學精密機械研究所兩方聯合研發，經曆近九年，目前90 nm國產高端光刻機已經順利驗收交付。這也為國內集成電路半導體裝備行業跨出關鍵性的一大步。
90 nm光刻機通過驗收測試
中國半導體行業協會副理事長、中科院微電子所所長葉甜春25日在IC China高峰論壇上表示，發展裝備是為了壯大本土供應鏈支撐半導體製造行業的發展，國內裝備在薄膜、濺鍍、刻蝕工藝領域都已經取得突破進展，但目前最前端的光刻機仍是最困難的一個環節。
他指出，中國首套光刻機曝光係統研發，可以說是目前是全世界難度最高的超精度技術，尤其在超精密光學領域, 需要關鍵技術自主研發。而當前中國已經在此領域取得初步的突破。
據悉，長春光學精密機械與物理研究所、應用光學國家重點實驗室負責物鏡係統；照明係統由中國科學院上海光學精密機械研究所，兩個團隊所共同負責的國產光刻機已於2017年7月首次曝光成功，2017年10月曝光光學係統在整機環境下已通過驗收測試。
長春國科精密光學技術有限公司、科技部原副部長、02專項光刻機工程指揮部組長曹健林在分享專項進展時表示，目前90納米檢測已經達到要求，希望未來五年內應可順利驗收完成。
2007年正式啟動90 nm節點曝光光學係統立項，2009年項目獲批，國產光刻機物鏡係統由長春光學精密機械與物理研究所、應用光學國家重點實驗室負責；照明係統由中國科學院上海光學精密機械研究所，兩個團隊所共同負責，專項一期項目投入近6億元。專項目標是建立物鏡超精密光學研發團隊與平台，並實現產業化滿足IC生產線的批量生產要求。
曹健林稱，光刻機的研發過程嚴格按照裏程碑節點進行控製與設計，並建立綜合設計、加工、鍍膜、裝配、測試、裝調全工藝過程的像質預測模型。2015年7月已經完成裝配，其後展開物鏡測試台的精度提升工作；2016年9月物鏡係統已經交付，整個大矽片都已經進行分布式測量；2017年7月首次曝光成功；2017年10月曝光光學係統在整機環境下通過驗收測試。
攻克“皇冠上明珠”朝28 nm邁進
曹健林進一步說，應該說國內半導體行業的關鍵材料與裝備才剛剛起步，希望未來光刻機自主研發能攻克難關拿下這顆 “工業皇冠上的明珠”。他稱，接下來項目還將繼續推進攻克28 nm研發，規劃兩年後拿出工程樣品，目前EUV的原理係統也已經“走通了”，預計明年主攻EUV 53波長機台。
清華大學微電子研究所所長魏少軍則也分析表示，過去十年，中國保持比國際同行更高的發展速度，而且穩步提升發展質量，這才是關鍵。
隨著02專項的支持，國內重大裝備於2016年國產裝備銷售已達32億元人民幣。 他也提個醒，盡管不可否認中國半導體行業的快速發展取得矚目，但在肯定自身進步的同時，也要看見自己仍存在的差距。他舉例，以當前集成電路每年約進口兩千億元來細看，其中主要以微處理器、存儲器就約占了1500億，這兩個部分也恰恰是中國目前自身還做不到的。
隨著02專項的支持，有些重大裝備已經取得突破。但他指出當前麵對中國集成電路發展，應該“正確理解中國集成電路產業存在差距”。
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