相對於(yu) 傳(chuan) 統的 KD*P 電光調製晶體(ti) ，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體(ti) 具有極低的吸收係 數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過範圍（210-2000nm）等優(you) 點。相對於(yu) RTP 電光 調製晶體(ti) ，BBO 晶體(ti) 具有更高的消光比、抗損傷(shang) 閾值和溫度時應係，有利於(yu) 提高激光輸出 功率穩定性。因此，由BBO 晶體(ti) 製成的電光Q開關(guan) 常被應用於(yu) 高重複頻率（高達800KHz）， 高功率（高達900W）的電光調Q 激光器，腔倒空調Q 激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大係統中。

產(chan) 品特點

高重複頻率，可達500KHZ

高峰值功率抗損值

低吸收率

高紫外波段透過率

高精度低噪點

規格參數：

最大截麵 12 x 12 mm²

最小截麵2 x 2mm²

最大長度 25 + 25 mm

常規長度20mm

平麵度λ/10 @ 633nm

透過畸變λ/8 @ 633nm

光學平行< 20 arc sec.

側(ce) 垂< 5 arc sec.

光潔度10-5 膜後20-10

端麵鍍膜210-2000nm可訂製

抗光傷(shang) 閾值600MW/cm2 @10ns，10Hz，1064nm