基本公司2000V係列SiC碳化矽MOSFET正在替代1500V係統裏的IGBT！
使用基本公司2000V係列SiC碳化矽MOSFET打造大組串SiC光伏逆變器！-傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷
使用基本公司2000V係列SiC碳化矽MOSFET升級傳(chuan) 統大組串IGBT光伏逆變器，實現更高的光伏逆變器效率，更小的光伏逆變器體(ti) 積重量！更低的光伏逆變器成本！
隨著銅價(jia) 暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為(wei) 電力電子製造商的一大痛點，使用基本公司碳化矽MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低係統綜合成本（電感磁性元件，散熱係統，整機重量），電力電子係統的全碳SiC時代，未來已來！傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷基本公司SiC碳化矽MOSFET！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 基本公司國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET在電力電子應用中全麵取代IGBT，全力推動基本公司國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷基本公司2000V係列SiC碳化矽MOSFET-國產(chan) 替代英飛淩IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）致力於(yu) 基本公司國產(chan) 碳化矽（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司2000V係列SiC碳化矽MOSFET適用於(yu) 1500V光儲(chu) 係統，1500V係統大組串SiC光伏逆變器，1500V係統儲(chu) 能變流器PCS，1500V係統固態斷路器，固態變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳(chuan) 統上使用飛跨電容IGBT方案，控製複雜，頻率低，采用基本公司2000V係列SiC碳化矽MOSFET進行兩(liang) 電平改造，控製簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從(cong) 一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體(ti) 提供了實現半導體(ti) 總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guan) 損耗，從(cong) 而提高開關(guan) 頻率。進一步的，可以優(you) 化濾波器組件，相應的損耗會(hui) 下降，從(cong) 而全麵減少係統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與(yu) 同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guan) 頻率提5倍（實現顯著的濾波器優(you) 化），同時保持最高結溫低於(yu) 最大規定值。
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關(guan) 損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化矽MOSFET技術的主要發展方向，體(ti) 現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為(wei) 此，BASiC™基本公司研發推出更高性能的第三代碳化矽MOSFET，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chan) 品擁有更低比導通電阻、器件開關(guan) 損耗，以及更高可靠性等優(you) 越性能，可助力光伏儲(chu) 能、新能源汽車、直流快充、工業(ye) 電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(ye) 變頻器、逆變焊機、四象限工業(ye) 變頻器等行業(ye) 實現更為(wei) 出色的能源效率和應用可靠性。
為(wei) 滿足光伏儲(chu) 能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基於(yu) 第二代SiC MOSFET技術平台開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓係列碳化矽MOSFET，產(chan) 品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關(guan) 損耗、支持更高開關(guan) 頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化矽MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基於(yu) 第三代碳化矽MOSFET技術平台開發的最新產(chan) 品，該係列產(chan) 品進一步優(you) 化鈍化層，提升可靠性，相對於(yu) 上一代產(chan) 品在比導通電阻、開關(guan) 損耗以及可靠性方麵有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基於(yu) PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(ye) 級全碳化矽半橋功率模塊，產(chan) 品采用集成的NTC溫度傳(chuan) 感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化矽AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關(guan) 損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方麵表現出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基於(yu) 第二代碳化矽MOSFET技術開發的頂部散熱內(nei) 絕緣的塑封半橋模塊，主要應用於(yu) OBC、空調壓縮機和工業(ye) 電源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350係列，此驅動芯片專(zhuan) 為(wei) 碳化矽MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑製碳化矽MOSFET的誤開通，還可用於(yu) 驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為(wei) 了保持電力電子係統競爭(zheng) 優(you) 勢，同時也為(wei) 了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為(wei) 每一種電力電子應用功率轉換應用的優(you) 勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為(wei) 各類型電力電子應用的主流趨勢。
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）專(zhuan) 業(ye) 分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化矽SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化矽MOSFET，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET專(zhuan) 用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用於(yu) 光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chu) 一體(ti) 機，儲(chu) 能變流器，儲(chu) 能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chu) 能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chu) 一體(ti) 機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器、光儲(chu) 一體(ti) 機、儲(chu) 能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，大功率工業(ye) 電源，工商業(ye) 儲(chu) 能變流器，變頻器，變槳伺服驅動輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領域與(yu) 客戶戰略合作，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(ye) 發展！
傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-專(zhuan) 業(ye) 汽車連接器及功率半導體(ti) (SiC碳化矽MOSFET單管，SiC碳化矽MOSFET模塊，碳化矽SiC-MOSFET，氮化镓GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力於(yu) 服務中國工業(ye) 電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chan) 業(ye) 鏈。在新型能源體(ti) 係的發展趨勢場景下，融合數字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲(chu) 能管理技術，以實現發電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網、荷、儲(chu) 、車”的協同發展。傾(qing) 佳電子（Changer Tech）-以技術創新為(wei) 導向，將不斷創新技術和產(chan) 品，堅定不移與(yu) 產(chan) 業(ye) 和合作夥(huo) 伴攜手，積極參與(yu) 數字能源產(chan) 業(ye) 生態，為(wei) 客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與(yu) 線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與(yu) 線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創新型車規級互聯產(chan) 品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鍾內(nei) 為(wei) EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用於(yu) 地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創新為(wei) 導向的各類功率半導體(ti) 器件：車規碳化矽(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化矽(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chan) 碳化矽(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化矽MOSFET，伺服驅動SiC碳化矽MOSFET，逆變焊機國產(chan) SiC碳化矽MOSFET，OBC車載SiC碳化矽MOSFET，儲(chu) 能變流器PCS碳化矽MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化矽MOSFET，國產(chan) 氮化镓GaN，隔離驅動IC等產(chan) 品，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）全麵服務於(yu) 中國新能源汽車行業(ye) ，新能源汽車電控係統，電力電子裝備，新能源汽車充電樁係統，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網三統一充電模塊光儲(chu) 變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲(chu) ，智能組串式儲(chu) 能等行業(ye) 應用，傾(qing) 佳電子（Changer Tech）為(wei) 實現零碳發電、零碳數據中心、零碳網絡、零碳家庭等新能源發展目標奮鬥，從(cong) 而為(wei) 實現一個(ge) 零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時代！
