橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體(ti) 供應商意法半導體(ti) 推出打破高壓功率MOSFET晶體(ti) 管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體(ti) 管。MDmesh V係列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體(ti) 管，擁有最低的單位麵積通態電阻，在650V額定電壓應用中可實現最高的能效和功率密度;現在新產(chan) 品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對於(yu) 以熱量形式損耗電能的係統功率轉換電路，如電子照明控製器、消費電子電源和太陽能光電轉換器，新產(chan) 品的成功推出在節能技術領域是一次巨大飛躍。

意法半導體(ti) 功率晶體(ti) 管市場總監Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯並鞏固了意法半導體(ti) 在超結型MOSFET市場的領導地位，MDmesh V體(ti) 現了意法半導體(ti) 最新的經過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技術，新產(chan) 品的性能提升讓客戶能夠降低應用設計能耗，同時強化了意法半導體(ti) 關(guan) 於(yu) 提供對環境負責的產(chan) 品同時通過設計研發創新產(chan) 品為(wei) 客戶提供卓越性能的承諾。”

新產(chan) 品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態電阻僅(jin) 為(wei) 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上通態電阻最低的產(chan) 品，打破了同樣是MDmesh V器件創造的0.038 Ω的原行業(ye) 基準。設計工程師可直接將新產(chan) 品替代通態電阻較高的MOSFET來提高終端應用的能效，或並聯更少的MOSFET晶體(ti) 管，從(cong) 而減少封裝尺寸，降低材料(BOM)成本。

相較於(yu) 同類600V競爭(zheng) 產(chan) 品，意法半導體(ti) 的650V STW88N65M5及其餘(yu) 的 MDmesh V產(chan) 品的安全邊際更高，從(cong) 而提高MOSFET對交流電力線上常見電湧的承受能力。

意法半導體(ti) 經過市場檢驗的MDmesh V產(chan) 品采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。