1、芯片發熱

　　這主要針對內(nei) 置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為(wei) 2mA,300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為(wei) 0.6W,當然會(hui) 引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自於(yu) 驅動功率mos管的消耗，簡單的計算公式為(wei) I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf,其中c為(wei) 功率MOS管的cgs電容，v為(wei) 功率管導通時的gate電壓，所以為(wei) 了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那麽(me) 請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。

　　2、功率管發熱

　　關(guan) 於(yu) 這個(ge) 問題，也見到過有人在電源網論壇發過貼。功率管的功耗分成兩(liang) 部分，開關(guan) 損耗和導通損耗。要注意，大多數場合特別是LED市電驅動應用，開關(guan) 損害要遠大於(yu) 導通損耗。開關(guan) 損耗與(yu) 功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關(guan) ，所以要解決(jue) 功率管的發熱可以從(cong) 以下幾個(ge) 方麵解決(jue) ：A、不能片麵根據導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為(wei) 內(nei) 阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為(wei) 250pF左右，2N60的cgs為(wei) 350pF左右，5N60的cgs為(wei) 1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。B、剩下的就是頻率和芯片驅動能力了，這裏隻談頻率的影響。頻率與(yu) 導通損耗也成正比，所以功率管發熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點高。想辦法降低頻率吧！不過要注意，當頻率降低時，為(wei) 了得到相同的負載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導致電感進入飽和區域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將CCM（連續電流模式）改變成DCM（非連續電流模式），這樣就需要增加一個(ge) 負載電容了。

　　3、工作頻率降頻

　　這個(ge) 也是用戶在調試過程中比較常見的現象，降頻主要由兩(liang) 個(ge) 方麵導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、係統幹擾大。對於(yu) 前者，注意不要將負載電壓設置的太高，雖然負載電壓高，效率會(hui) 高點。對於(yu) 後者，可以嚐試以下幾個(ge) 方麵：a、將最小電流設置的再小點；b、布線幹淨點，特別是sense這個(ge) 關(guan) 鍵路徑；c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感；d、加RC低通濾波吧，這個(ge) 影響有點不好，C的一致性不好，偏差有點大，不過對於(yu) 照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有好處，隻有壞處，所以一定要解決(jue) 。

　　4、電感或者變壓器的選擇

　　終於(yu) 談到重點了，我還沒有入門，隻能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反應，相同的驅動電路，用a生產(chan) 的電感沒有問題，用b生產(chan) 的電感電流就變小了。遇到這種情況，要看看電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個(ge) 現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會(hui) 嚴(yan) 重影響LED的使用壽命。所以說，在設計前，合理的計算是必須的，如果理論計算的參數和調試參數差的有點遠，要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。變壓器飽和時，L會(hui) 變小，導致傳(chuan) 輸delay引起的峰值電流增量急劇上升，那麽(me) LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下，隻能看著光衰了。

　　5、LED電流大小

　　大家都知道LEDripple過大的話，LED壽命會(hui) 受到影響，影響有多大，也沒見過哪個(ge) 專(zhuan) 家說過。以前問過LED廠這個(ge) 數據，他們(men) 說30%以內(nei) 都可以接受，不過後來沒有經過驗證。建議還是盡量控製小點。如果散熱解決(jue) 的不好的話，LED一定要降額使用。也希望有專(zhuan) 家能給個(ge) 具體(ti) 指標，要不然影響LED的推廣。