日前，中科院光電技術研究所微光刻技術與(yu) 微光學實驗室首次提出基於(yu) 微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。該技術利用微納結構邊際作為(wei) 掩模圖形，對表麵等離子體(ti) 進行有效激發，其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小於(yu) 30納米的超分辨光刻圖形。

據相關(guan) 負責人介紹，傳(chuan) 統的微光刻工藝采用盡可能短的曝光波長，期望獲得百納米甚至幾十納米級別的光刻分辨率。然而，隨著曝光波長的縮短，整個(ge) 光刻裝備的成本也急劇上升。以目前主流的193光刻機為(wei) 例，其售價(jia) 為(wei) 幾千萬(wan) 美元。如此高昂的成本嚴(yan) 重限製了短波長光源光刻技術的應用。

近年來，表麵等離子體(ti) 光學的提出為(wei) 微光刻技術的發展提供了新的選擇。利用表麵等離子體(ti) 波的短波長，通過合理的設計掩模圖形和工藝參數，超分辨的納米光刻技術有望形成。

在此背景下，該所研究員提出了基於(yu) 微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。理論研究表明，該技術可獲得特征尺寸小於(yu) 1/10曝光波長的納米結構，並利用365納米光源從(cong) 實驗上獲得了超越衍射極限的光刻分辨率。這將為(wei) 我國正在迅猛發展的信息產(chan) 業(ye) 技術及納米科技提供堅實的加工製備基礎