因開發藍色LED而獲得2014年諾貝爾物理學獎的美國加州大學聖塔芭芭拉分校（UCSB）教授中村修二，在2015年7月24日於東京舉行的研討會“GaN掀起能源革命”上發表演講，說出了上麵那句話。中村強調，通過在發光層采用InGaN（氮化銦镓）的“雙異質結構造”，才實現了達到實用水平亮度的藍色LED。
中村介紹稱，在利用InGaN雙異質結構造來提高藍色LED的亮度之前，藍色LED必須將GaN晶體內被稱作“位錯”的晶體缺陷的密度減少至103個/cm2的程度才能提高亮度。而采用InGaN雙異質結構造之後，位錯密度即便高達109個/cm2的程度，也能高亮度發光。InGaN的這一特性對於實現藍色LED，以及之後的藍紫色半導體激光器、藍色半導體激光器都作出了貢獻，因此中村將其評價為“奇跡般的材料”。
關於InGaN在晶體缺陷較多時也能高亮度發光的原因，中村稱“與In的局域效應有關”，並提到了日本東北大學教授秩父重英（發布研究成果時任職於築波大學）的研究成果。
中村指出，雖然InGaN在高亮度藍色LED的實現中起到了重要作用，但很少有報道宣傳這種材料的重要性。中村還對日本媒體報道2014年諾貝爾物理學獎獲獎消息時的表述方式提出了質疑，他說，“不僅是日本的電視及報紙等媒體，就連日本的學術雜誌及專業雜誌也都說是‘赤崎和天野開發出了藍色LED，中村成功實現了藍色LED的量產化’。在諾貝爾基金會的發布資料中，並沒有這樣的內容，我並非隻是做了量產化方麵的工作。報道有失偏頗，令人非常遺憾”。
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