近日，基於(yu) 自由電子激光器的應用需求，中科院光電研究所激光工程中心研發了一套高消光比雙電光驅動開關(guan) 係統。相關(guan) 技術也已獲得國家發明專(zhuan) 利。該高消光比雙電光驅動開關(guan) 係統采用半波電壓較低的RTP晶體(ti) 作為(wei) 電光開關(guan) ，實現的技術指標如下：
1)脈衝(chong) 上升沿及下降沿小於(yu) 10ns；
2)脈衝(chong) 寬度：10μs-1ms可調，脈寬抖動＜10 ns；
3)重複頻率1Hz-1kHz可調；
4)驅動高壓從(cong) 1200V~2000V可調，計算機顯示和控製；
5)消光比大於(yu) 2000:1。
高消光比電光驅動開關(guan) 技術因具有開關(guan) 速度快、開關(guan) 徹底和口徑大等特點，在調Q激光器、超快激光器的研究領域中得到廣泛的應用。目前電光Q開關(guan) 驅動源已經成功應用在立體(ti) 平板印刷術、硬盤電阻微調、存儲(chu) 修複、通孔修複、通孔打鑽、印刷電路板製作、晶片雕刻等方麵。
此技術由麻雲(yun) 鳳副研究員團隊研發。

驅動激光器雙電光開關(guan) 係統

　　消光曲線