2022年11月11-13日，第十九屆“中國光穀”國際光電子博覽會(hui) 暨論壇（以下簡稱“武漢光博會(hui) ”）將於(yu) 中國光穀科技會(hui) 展中心舉(ju) 辦。同期還將舉(ju) 辦“2022先進光刻技術研討會(hui) ”，屆時將邀請業(ye) 內(nei) 知名專(zhuan) 家，共同探討光刻技術的前沿進展及未來發展趨勢。

會(hui) 議主題：2022先進光刻技術研討會(hui)

會(hui) 議時間：2022年11月12日9:30-16:45

會(hui) 議地點：中國光穀科技會(hui) 展中心三樓

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組織機構

主辦單位：國家工信部、國家科技部、國家知識產(chan) 權局、中國科學院、中國國際貿促會(hui) 、湖北省人民政府

承辦單位：武漢市人民政府、武漢東(dong) 湖新技術開發區管委會(hui)

執行承辦單位：fun88官网平台雜誌社、上海意桐光電科技有限公司

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大會(hui) 主席

王向朝

中國科學院上海光學精密機械研究所研究員

韋亞(ya) 一

中國科學院微電子研究所研究員

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部分邀請嘉賓

師江柳

北京超弦存儲(chu) 器研究院首席光刻科學家

報告題目及摘要

題目：先進DRAM光刻工藝研發介紹

摘要：DRAM存儲(chu) 芯片市場份額巨大，發展前景廣闊，是半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的核心支柱之一。中國的DRAM市場接近全球的60%，但自給能力嚴(yan) 重不足，亟需關(guan) 鍵技術的突破。當前，北京超弦存儲(chu) 器研究院積極搭平台、引人才、建隊伍、出成果，為(wei) 國產(chan) 存儲(chu) 器產(chan) 業(ye) 發展提供技術來源、協調資源調配、培養(yang) 專(zhuan) 業(ye) 人才、實施知識產(chan) 權保護，致力於(yu) 成為(wei) 國內(nei) 存儲(chu) 器技術發展的“探路人”。本報告介紹先進DRAM光刻工藝研發的理論和方法。

施偉(wei) 傑

東(dong) 方晶源微電子科技（北京）有限公司常務副總經理

報告題目及摘要

題目：Practice on HPO：A Timing emphasis OPC Approach for OCV improvement

摘要：The Fabless/Fab mode has been proven successfully for IC manufacturing for decades. Fabs focused on patterning and yield while fabless concentrated on electrical performance, known as PPA. As the feature sizes continuously shrink, the design capability gap between available and realized manufacturing scaling grows larger, which eventually affects cost and time-to-market. To bridge this gap, a systematic solution namely, HPO (Holistic Processes Optimization) ,has been proposed by DFJY, which involves process variation aware physical design flow, timing and power aware OPC for electrical process window improvements and wafer defect inspection guided by timing critical paths and process-sensitive hotspots. In this talk, a timing emphasis OPC approach is practiced for OCV improvement under the HPO conception. Experiments have been performed to demo pros and cons.

王曉偉(wei)

蘇州理碩科技有限公司總經理

報告題目及摘要

題目：延續摩爾定律下的光刻技術探討

摘要：根據經典摩爾定律，集成電路晶體(ti) 管數目大約每兩(liang) 年會(hui) 增加一倍，性能也隨之提高一倍，且價(jia) 格下降一半。近年來，隨著光刻技術的快速發展，光刻膠的線寬已經接近材料的極限分子尺寸，摩爾定律能否繼續延續成為(wei) 半導體(ti) 行業(ye) 一個(ge) 不得不麵對的問題。

13.5納米EUV極紫外光刻機的出現，為(wei) 摩爾定律的延續提供了一種可能。然而由於(yu) EUV光源強度過低、反射鏡片的反射率衰減及光罩缺陷難題等設備問題，以及光刻膠解像度問題、outgas問題等各種技術難題有待克服，EUV光刻機量產(chan) 化時間被多次推遲。作為(wei) EUV光刻的替代技術，如double patterning技術、納米壓印技術、DSA技術、多電子束直寫(xie) 技術等也被各大國際半導體(ti) 組織和集成電路芯片企業(ye) 深入研討，隨著近期各芯片廠家在技術上的突破，這些EUV替代技術開始逐步趨於(yu) 成熟和實用。

由於(yu) 光刻膠材料分子尺寸的限製和EUV光刻機的自身缺陷，EUV光刻機的解像性能依然差強人意，對於(yu) 14納米以下小線寬來說依然很難實現一次曝光成形。為(wei) 此EUV+double patterning 和EUV+DSA技術作為(wei) 超摩爾時代光刻技術的不得已選擇，成為(wei) 實現7納米芯片技術的主要手段。

伴隨著FinFET技術的出現，通過先進封裝進行實現晶體(ti) 管的多層疊加也是實現芯片高級程度的一個(ge) 可行性方向，在不需要縮小圖形線寬和提高光刻膠解像度的前提下，也能夠大幅提高晶體(ti) 管的集成度。但對於(yu) 拉開芯片巨頭和跟隨廠家之間技術代差並無明顯幫助，各大芯片巨頭依然對EUV技術充滿期待。

李小平

華中科技大學研究員

報告題目及摘要

題目：投影光刻機中的溫度控製技術

摘要：投影光刻機的性能易受到溫度波動的影響，超穩定溫度控製技術是投影光刻機的關(guan) 鍵技術之一。報告從(cong) 投影光刻機溫度控製、投影物鏡的溫度控製、浸沒液體(ti) 的溫度控製、微空氣環境溫度控製四個(ge) 方麵介紹投影光刻機中的固體(ti) 、水和空氣的溫度控製中的傳(chuan) 熱結構、控製模型和控製算法。

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吳雅慧 18672307517（微信同號）本屆會(hui) 議匯聚了光刻領域的一流科研機構與(yu) 企業(ye) ，是展示企業(ye) 以及產(chan) 品性能的最佳時機，歡迎各大廠商前來讚助~更多會(hui) 議信息持續更新中，大家可關(guan) 注本公眾(zhong) 號的後續報道。報名鏈接：

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