什麽是半導體激光器?
半導體(ti) 激光器是以一定的半導體(ti) 材料做工作物質而產(chan) 生激光的器件。。其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體(ti) 物質的能帶(導帶與(yu) 價(jia) 帶)之間,或者半導體(ti) 物質的能帶與(yu) 雜質(受主或施主)能級之間,實現非平衡載流子的粒子數反轉,當處於(yu) 粒子數反轉狀態的大量電子與(yu) 空穴複合時,便產(chan) 生受激發射作用。半導體(ti) 激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體(ti) 激光器,一般是由砷化镓(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料製成的半導體(ti) 麵結型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平麵區域產(chan) 生受激發射。光泵式半導體(ti) 激光器,一般用N型或P型半導體(ti) 單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物質,以其他激光器發出的激光作光泵激勵。高能電子束激勵式半導體(ti) 激光器,一般也是用N型或者P型半導體(ti) 單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質,通過由外部注入高能電子束進行激勵。在半導體(ti) 激光器件中,性能較好,應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。

半導體(ti) 激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續輸出。後來經過改良,開發出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用於(yu) 光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆),是目前生產(chan) 量最大的激光器。
激光二極體(ti) 的優(you) 點有:效率高、體(ti) 積小、重量輕且價(jia) 格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%,P-N型也達到數%~25%,總而言之能量效率高是其最大特色。另外,它的連續輸出波長涵蓋了紅外線到可見光範圍,而光脈衝(chong) 輸出達50W(脈寬100ns)等級的產(chan) 品也已商業(ye) 化,作為(wei) 激光雷達或激發光源可說是非常容易使用的激光的例子。
半導體激光器主要性能參數定義
1.P-I 特性及閾值電流
P-I特性揭示了LD輸出光功率與(yu) 注入電流之間的變化規律,因此是LD最重要的特性之一。

由P-I曲線可知,LD是閾值型器件,隨注入電流的不同而經曆了幾個(ge) 典型階段。
當注入電流較小時,有源區裏不能實現粒子數反轉,自發輻射占主導地位,LD發射普通的熒光,光譜很寬,其工作狀態類似於(yu) 一般的發光二極管。
隨著注入電流的加大,有源區裏實現了粒子數反轉,受激輻射開始占主導地位,但當注入電流仍小於(yu) 閾值電流時,諧振腔裏的增益還不足以克服損耗,不能在腔內(nei) 建立起一定模式的振蕩,LD發射的僅(jin) 僅(jin) 是較強的熒光,稱為(wei) “超輻射”狀態。
隻有當注入電流達到閾值以後,才能發射譜線尖銳、模式明確的激光,光譜突然變窄並出現單峰(或多峰)。
2.激光器線寬
半導體(ti) 的激光器的線寬是多少?有的用nm表示,有的用Hz表示,計算公式是什麽(me) ?經常會(hui) 提到激光器的線寬《0.0001 nm 換算成“Hz”是多少赫茲(zi) 啊?
線寬即為(wei) 激光某一單獨模式的光譜寬度,一般表達形式:nm,Hz,cm-1。該參數與(yu) 激光本身的波長由關(guan) 係。

3. 邊模抑製比(SSR)
邊模抑製比是指在發射光譜中,在規定的輸出功率和規定的調製(或CW)時最高光譜峰值強度與(yu) 次高光譜峰值強度之比。

4. 振蕩腔

諧振腔的作用是選擇頻率一定、方向一致的光作最優(you) 先的放大,而把其他頻率和方向的光加以抑製。凡不沿諧振腔軸線運動的光子均很快逸出腔外; 沿軸線運動的光子將在腔內(nei) 繼續前進,並經兩(liang) 反射鏡的反射不斷往返運行產(chan) 生振蕩,運行時不斷與(yu) 受激粒子相遇而產(chan) 生受激輻射,沿軸線運行的光子將不斷增殖,在腔內(nei) 形成傳(chuan) 播方向一致、頻率和相位相同的強光束,這就是激光。為(wei) 把激光引出腔外,可把一麵反射鏡做成部分透射的,透射部分成為(wei) 可利用的激光,反射部分留在腔內(nei) 繼續增殖光子。
光學諧振腔的作用有:
①提供反饋能量,
②選擇光波的方向和頻率。
諧振腔內(nei) 可能存在的頻率和方向稱為(wei) 本征模。兩(liang) 反射鏡的曲率半徑和間距(腔長)決(jue) 定了諧振腔對本征模的限製情況。不同類型的諧振腔有不同的模式結構和限模特性。
5. 三種類型的QCL
按振蕩腔設計的差異,QCL可以分為(wei) 三大類:

圖1:QC激光器的基本結構包括FP-QCL(上圖)、DFB-QCL(中圖)和ECqcL(下圖)。增益介質顯
示為(wei) 灰色,波長選擇機製為(wei) 藍色,鍍膜麵為(wei) 橙色,輸出光束為(wei) 紅色。
FP-QCL:最簡單的結構是F-P(法布裏-珀羅)腔激光器(FP-QCL)。在F-P 結構中,切割麵(天然理解麵)為(wei) 激光提供反饋,有時也使用介質膜以優(you) 化輸出。
DFB-QCL:第二種結構是在QC芯片上直接刻分布反饋光柵。這種結構(DFB-QCL)可以輸出較窄的光譜,但是輸出功率卻比FP-QCL結構低很多。通過最大範圍的溫度調諧,DFB-QCL還可以提供有限的波長調諧(通過緩慢的溫度調諧獲得10~20cm-1的調諧範圍,或者通過快速注入電流加熱調諧獲得2~3cm-1的範圍)。

隻有滿足下式的那些特定波長的光才會(hui) 受到強烈反射,從(cong) 而實現動態單縱模 工作。式也稱為(wei) 分布反饋條件(一般m取1)。

EcqcL: 將QC芯片和外腔結合起來,形成ECqcL。這種結構既可以提供窄光譜輸出,又可以在QC芯片整個(ge) 增益帶寬上(數百cm-1)提供快調諧(速度超過10ms)。由於(yu) ECqcL結構使用低損耗元件,因此它可在便攜式電池供電的條件下高效運作。
三種類型的光通信激光器
在常用的三種激光中,FP激光比DFB激光容易產(chan) 生,但FP激光的光線較寬(》1nm),波長的溫度漂移也較大(0.5nm/℃), 因此不適用於(yu) 高速和/或遠程應用。
DFB激光的光線則相對較窄(《0.04nm),波長對溫度的漂移也較小(0.1nm/℃),因此就比較適合高性能的通信應用。但DFB激光也有缺陷。首先,它工作在1500nm波段時很容易產(chan) 生啁啾,因此通常需要外加調製器(在1300nm波段此局限並不重要);其次,它沒有FP或VCSEL激光那樣容易產(chan) 生,而且所需的閾值電流也比VCSEL激光大。
VCSEL激光的優(you) 點是線寬較窄(0.35nm)且波長對溫度漂移較小(0.06nm/℃)。另外,VCSEL激光的閾值電流也較小 (1mA),在相同的輸出功率下,它比DFB激光和FP激光的效率更高,而且不象DFB激光那樣容易產(chan) 生啁啾。因而,即使速度為(wei) 10Gbps的數據也可以直接采用VCSEL激光調製。最後,比起其它激光,製造和調整準直VCSEL都比較容易,這樣就能夠生產(chan) 低成本基於(yu) VCSEL的收發器。這些特性看起來足以使VCSEL成為(wei) 高性能通信應用的理想解決(jue) 方案。其中850nm的VCSEL已經獲得大規模的應用,但是由於(yu) 長波長(1310nm、1550nm)的VCSEL具有輸出功率不足以及製造工藝複雜等缺點,一直未能獲得大規模應用。
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