激光劃片技術是生產集成電路的關鍵技術，其劃線細、精度高(線寬為15-25μm，槽深5-200μm)、加工速度快(可達200mm/s)，成品率達99.5%以上。集成電路生產過程中，在一塊基片上要製備上千個電路，在封裝前要把它們分割成單個管芯。傳統的方法是用金剛石砂輪切割，矽片表麵因受機械力而產生輻射狀裂紋。用激光劃線技術進行劃片，把激光束聚焦在矽片表麵，產生高溫使材料汽化而形成溝槽。
通過調節脈衝(chong) 重疊量可精確控製刻槽深度，使矽片很容易沿溝槽整齊斷開，也可進行多次割劃而直接切開。由於(yu) 激光被聚焦成極小的光斑，熱影響區極小，切劃50μm深的溝槽時，在溝槽邊25μm的地方溫升不會(hui) 影響有源器件的性能。激光劃片是非接觸加工，矽片不會(hui) 受機械力而產(chan) 生裂紋。因此可以達到提高矽片利用率、成品率高和切割質量好的目的。還可用於(yu) 單晶矽、多晶矽、非晶矽太陽能電池的劃片以及矽、鍺、砷化稼和其他半導體(ti) 襯底材料的劃片與(yu) 切割。
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