近日，2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—“低維半導體異質結構材料及激光器研究”項目啟動會在北京召開。項目牽頭單位中國科學院半導體研究所相關領導、項目負責人及各課題負責人、項目谘詢專家、科技部高技術中心相關人員等40餘人參加了會議。

“低維半導體異質結構材料及激光器研究”項目旨在麵向國家信息技術領域對戰略性高端光電子材料和器件的迫切需求，以實現低能耗、高帶寬的接入網/傳輸網、光互聯及空間通信應用的高性能低維半導體異質結構材料和激光光源為目標，最終實現基於低維半導體異質結構材料的高性能半導體激光光源。

會上，科技部高技術研究發展中心相關人員介紹了“戰略性先進電子材料”重點專項2016年度部署和立項情況、專項管理規則流程以及執行過程中常見的問題，對項目管理、質量管控、宣傳、經費使用以及谘詢專家職能等方麵提出了新的要求和建議。半導體所副所長陳宏達研究員介紹了半導體所在承擔科技部重點研發計劃項目等方麵的情況，並表示將積極協調好項目的組織實施、經費管理和支撐保障工作，確保項目各項任務目標圓滿完成。

項目負責人楊濤研究員詳細介紹了項目的總體情況、各課題的研究方向和預期目標，落實了各課題參加單位的具體任務，對項目組內部溝通協調、經費使用與管理、成果產業化、人才的培養等方麵進行了部署。項目谘詢專家就項目與課題的具體實施方案提出了意見和建議。