我們所有的智能手機都有閃閃發光的AMOLED顯示屏。在這些顯示屏的每一個像素背後都隱藏著至少兩個用激光退火技術批量製造的矽晶體管。傳統的方法通常使用高於1000°C的溫度來製造它們，而激光技術可以在低溫下達到相同的結果，甚至是在塑料基板（熔化溫度低於300°C）上。有趣的是，類似的工藝也可以被用來產生石墨烯晶體。石墨烯是一種由碳製成的強而薄的納米材料，其導電性和導熱性引起了世界各國科學家的關注。
基礎科學研究所（IBS）多維碳材料中心KEON Jae Lee教授的研究小組和韓國先進科學技術研究院（KAIST）CHOI Sung Yool教授的團隊發現了采用激光誘導固相分離單晶碳化矽（SiC）來合成石墨烯的機製。這篇發表在《自然通信》上的研究論文，闡述了這種激光技術是如何能將一種複雜的化合物（碳化矽）分離成碳和矽的超薄元件的。
雖然幾個基礎研究了解了準分子激光在轉化元素材料如矽時的效應，但是因為化合物相變的複雜性和超短的處理時間，激光與更複雜的化合物如碳化矽之間的相互作用還很少被研究。
通過高分辨率顯微圖像和分子動力學模擬，科學家發現，一個30納秒的氯化氙準分子激光單脈衝輻照可以融化SiC，從而導致液體SiC層的分離，得到在上表麵的一個無序的具有石墨域的碳層（約2.5納米厚）和一個在碳層下麵的多晶矽層（約5納米）。施加額外的脈衝會導致分離的矽升華，而無序的碳層轉化成多層石墨烯。
“這項研究表明，激光與物質相互作用的技術可以成為下一代二維納米材料的一個強大的工具，”Keon教授說。Choi教授補充說：“用激光誘導複雜化合物的相分離，將來可以合成新類型的二維材料。”IBS的Keon教授隸屬於KAIST的材料科學與工程學院，而Choi教授則隸屬於KAIST的電氣工程學院以及石墨烯研究中心。
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