近期，中國科學院上海微係統與信息技術研究所镓砷鉍（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新進展。研究員王庶民領導的研究團隊采用分子束外延方法生長了镓砷鉍量子阱材料，並成功製備出目前發光波長最長（1.142微米）的電泵浦镓砷鉍室溫（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界紀錄，脈衝激射最大輸出功率達到127 mW，並在273 K首次報道連續激射。相關研究論文1.142 μm GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 於6月5日在ACS Photonics（DOI: 10.1021/acsphotonics.7b00240）上發表。
稀鉍半導體材料具有一係列不同於傳統三五族材料的優良特性，是一種富有潛力的新型光電器件材料，也是當前國際上研究的熱門領域之一。其中镓砷鉍材料由於其較大的帶隙收縮效應、自旋軌道分裂能和較低的溫敏性等特點，被認為是光通訊係統中非製冷激光器最具潛力的新材料之一。但是，為了有效凝入鉍組分，镓砷鉍材料生長需要較低溫度，這就容易導致缺陷密度增大從而影響材料的發光性能，激光器材料生長有極大挑戰。上海微係統所吳曉燕、潘文武等人基於分子束外延技術優化生長了高質量的镓砷鉍量子阱材料，成功製備較高性能的镓砷鉍量子阱激光器，發光波長拓展到1.142微米，同時其特征溫度和波長溫敏係數均優於當前商用的InP基激光器。該項研究有助於推動新型稀鉍材料在光電器件領域的應用。
該項工作得到了“973”項目和國家自然科學基金重點項目的資助。
稀鉍半導體材料具有一係列不同於傳統三五族材料的優良特性，是一種富有潛力的新型光電器件材料，也是當前國際上研究的熱門領域之一。其中镓砷鉍材料由於其較大的帶隙收縮效應、自旋軌道分裂能和較低的溫敏性等特點，被認為是光通訊係統中非製冷激光器最具潛力的新材料之一。但是，為了有效凝入鉍組分，镓砷鉍材料生長需要較低溫度，這就容易導致缺陷密度增大從而影響材料的發光性能，激光器材料生長有極大挑戰。上海微係統所吳曉燕、潘文武等人基於分子束外延技術優化生長了高質量的镓砷鉍量子阱材料，成功製備較高性能的镓砷鉍量子阱激光器，發光波長拓展到1.142微米，同時其特征溫度和波長溫敏係數均優於當前商用的InP基激光器。該項研究有助於推動新型稀鉍材料在光電器件領域的應用。
該項工作得到了“973”項目和國家自然科學基金重點項目的資助。
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