2017年12月8日，由華南理工大學牽頭承擔的2016年國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專(zhuan) 項“大功率光纖激光材料與(yu) 器件關(guan) 鍵技術研究”項目2017年度進展匯報會(hui) 議在武漢華中科技大學順利舉(ju) 行。參加項目進展匯報會(hui) 的領導和專(zhuan) 家有科技部高技術研究發展中心史冬梅處長、楊斌處長，武漢理工大學薑德生院士、南京大學祝世寧院士、清華大學潘峰教授等，以及項目各參與(yu) 單位代表。華中科技大學副校長駱清銘教授到會(hui) 致辭。

參會(hui) 領導、專(zhuan) 家和各單位代表合影

“大功率光纖激光材料與(yu) 器件關(guan) 鍵技術研究”項目由華南理工大學牽頭，聯合中國科學院上海光學精密機械研究所、中國科學院半導體(ti) 研究所、華中科技大學、南京先進激光技術研究院、中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所、國防科技大學、天津大學等國內(nei) 在光纖激光材料與(yu) 激光技術領域實力雄厚的高校及科研院所，以及蘇州長光華芯光電技術有限公司、武漢銳科光纖激光技術股份有限公司、上海飛博激光科技有限公司、廣州宏晟光電科技有限公司等激光產(chan) 業(ye) 內(nei) 的優(you) 秀企業(ye) 共同承擔。

項目針對高光束質量萬(wan) 瓦級光纖激光國產(chan) 化的迫切需求，亟需突破大功率光纖激光材料與(yu) 器件關(guan) 鍵技術。主要圍繞構建大功率光纖激光的關(guan) 鍵核心光纖材料與(yu) 元件、高質量激光泵源和高性能單頻激光種子源等開展研究，擬開發出：1、用於(yu) 萬(wan) 瓦級光纖激光的高增益大模場光纖、合束器、光柵和包層光剝離器；2、壽命>2萬(wan) 小時高亮度半導體(ti) 激光芯片及功率>2000W泵源；3、亮度>100MW/cm2/Sr光子晶體(ti) 激光器；4、線寬<10kHz百瓦級單頻激光器並通過合束實現>3000W輸出。

項目進展匯報會(hui) 上，項目負責人楊中民教授就項目總體(ti) 概況、專(zhuan) 家谘詢情況、總體(ti) 研發技術方案、2017年度進展等方麵做了詳細匯報。此外，各課題負責人分別匯報了工作任務與(yu) 指標完成情況及預算執行情況，總結了已取得的重大突破和重要成果，找出存在問題及提出整改措施，交流管理經驗，確保項目的順利實施。最後，科技部領導和和參會(hui) 專(zhuan) 家對項目取得的年度工作成績進行了充分肯定、高度讚揚，以及對中期檢查的滿懷期待與(yu) 展望。參會(hui) 專(zhuan) 家並對項目啟動會(hui) 上專(zhuan) 家組提出的15個(ge) 意見進行了谘詢、論證，由項目負責人進行了一一解答。

項目的研究工作取得明顯進展，分別在萬(wan) 瓦級高增益玻璃光纖材料與(yu) 元件、高性能激光泵源、高性能單頻激光種子源等方麵實現了明顯突破，達到了國際同類研究的領先水平。（1）高增益玻璃光纖單纖輸出功率10155W；(6+1)×1合束器單臂承受功率1850W；光纖光柵承受功率1800W；包層光剝離器濾除功率1000W、衰減係數50dB；（2）976nm光纖耦合半導體(ti) 激光泵源（50μm條寬芯片）輸出功率10.8W、芯片壽命突破12000h；（3）976nm波段錐形光子晶體(ti) 激光器輸出功率7.3W、亮度29.7MW/cm2/Sr、垂直發散角11°左右；（4）1064nm與(yu) 1950nm單頻光纖激光器功率分別輸出166W、57W；基於(yu) 4路窄線寬光纖激光相幹偏振合成功率5.02kW、合成效率93.8%。

以“光製造”為(wei) 代表的新技術對傳(chuan) 統工業(ye) 製造帶來了革命性變革，萬(wan) 瓦級大功率光纖激光是高端激光製造的核心光源。項目即將進入中期檢查階段，以此契機，各參與(yu) 單位持續加強研發力度，將以飽滿的熱情和優(you) 異的成績喜迎中期考核的到來。項目將從(cong) 國家經濟建設、科研需求和國防安全等多角度出發，致力於(yu) 實現高光束質量萬(wan) 瓦級光纖激光國產(chan) 化的迫切要求與(yu) 最終目標。