半導體(ti) 摻雜技術是半導體(ti) 器件的核心技術之一。盡管半導體(ti) 摻雜技術看起來好像很高深，但日常生活中用到半導體(ti) 器件的設備卻隨處可見，比如智能手機、電視機、LED燈、激光器等。

李京波和團隊助手正在進行激光實驗。

　　“新型半導體(ti) 材料的摻雜機理研究是目前光電技術、凝聚態物理、新能源等領域的前沿熱點問題，對此我們(men) 開展了相關(guan) 的基礎研究，試圖尋找關(guan) 鍵科學問題的答案。”李京波說道。

　　據了解，以半導體(ti) 激光器外延生長、摻雜技術等科學問題研究為(wei) 支撐，在大功率半導體(ti) 激光器芯片關(guan) 鍵技術等方麵，李京波團隊近來取得了多項創新成果：開發出六千瓦納秒脈衝(chong) 激光器，平均功率最高達到了6000W，比目前國際上同類指標高2000W；首次研發出大功率半導體(ti) 激光器芯片，芯片單巴功率超過160瓦，壽命超過1萬(wan) 小時。 

現場實驗激光打穿鋼板。

　　中科院半導體(ti) 研究所研究員李京波介紹說，“基礎研究是創新的根基，也是工業(ye) 裝備升級的支撐，掌握了光纖激光器的基本原理，就可以突破大功率脈衝(chong) 激光器的技術瓶頸。”

　　此外，李京波團隊已經將此次獲獎項目的部分成果成功轉化為(wei) 高功率脈衝(chong) 激光器產(chan) 業(ye) 化應用。他們(men) 在南昌經濟技術開發區的支持下，創辦了南昌中科創譜激光科技有限公司，預計2018年該公司的銷售收入將突破1億(yi) 元。