從(cong) 美方對華為(wei) 的打壓來看，落後就要挨打這句話又在今天得以驗證。雖然目前東(dong) 方大國在經濟，科技以及工業(ye) 方麵都有著顯著提升，正在向強國邁進。不過由於(yu) 各方麵和超級大國美方還有著一些差距，因此，在核心技術以及核心產(chan) 業(ye) 方麵，我方都沒有足夠的話語權，一旦遭遇競爭(zheng) 的風口浪尖，難免就會(hui) 受製於(yu) 人。

就比如說華為(wei) ，其通信設備以及5g網絡方麵的技術都已經做到世界領先，並且能夠獨自設計性能先進的芯片，按理說華為(wei) 已經做到了很強的地步。但是在芯片製造方麵，不僅(jin) 僅(jin) 是華為(wei) ，整個(ge) 東(dong) 方大國都還落後於(yu) 西方，因此，在芯片製造上不得不被美方卡住脖子。就比如位於(yu) 芯片製造核心地位的光刻機，由於(yu) 技術掌握在人家的手裏，這就足以讓華為(wei) 感到無可奈何。目前台積電主要的光刻機進口都要依靠荷蘭(lan) asml，而高端光刻機，其光源係統的來源就是美方。

不過就在大家為(wei) 華為(wei) 的未來感到擔憂的時候，中科院卻發出了令人振奮的消息。據有關(guan) 媒體(ti) 報道，中科院蘇州所已經發表了關(guan) 於(yu) 新型5納米級高精度激光光刻加工方法，這項技術誕生於(yu) 蘇州納米技術與(yu) 納米仿生研究所。這標誌著國產(chan) 五納米激光光刻取得重大進展，專(zhuan) 家也表示，這完全可能打破西方封鎖，這次中科院又立功了。目前國內(nei) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 還無法擺脫對asml光刻機的依賴，如果在這項技術上麵取得突破，那麽(me) 東(dong) 方大國將用實力打破asml光刻機的壟斷。

據了解，負責研發這項納米激光光刻技術的張子暘團隊已經開發了一種新型的三層堆疊薄膜結構，再通過雙激光束交疊，對能量密度及其波長進行精確控製，在線寬上麵能夠將寬度精確到五納米。而目前asml的光刻技術是基於(yu) euv極紫外光刻，這是和asml完全不同的一種新的技術路線。

不過這項技術僅(jin) 僅(jin) 是在實驗階段得到了一個(ge) 突破而已，從(cong) 實驗到真正的應用，並且實現量產(chan) 並不是一個(ge) 簡單的過程。目前asml光刻機仍然是占據壟斷地位，也是美方利用自身影響力遏製我方企業(ye) 的一大利器。但是上述技術的突破已經證明此項研究是可行的，我方完全可以利用此項技術作為(wei) 讓美方開放光刻機的籌碼，如此就可以大大減輕華為(wei) 所麵臨(lin) 的壓力。