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30億元半導體研發生產總部項目落戶蘇州高新區,2.5億元激光雷達芯投資項目

來源:愛集微和CEPeM2021-02-24 我要評論(0 )   

2月20日,蘇州高新區舉(ju) 行2021年春季重大項目集中開工簽約儀(yi) 式。總投資712億(yi) 元的105個(ge) 項目集中簽約、開工。其中簽約項目57個(ge) ,總投資260億(yi) 元,開工項目48個(ge) ,總投資452億(yi) ...

2月20日,蘇州高新區舉(ju) 行2021年春季重大項目集中開工簽約儀(yi) 式。總投資712億(yi) 元的105個(ge) 項目集中簽約、開工。其中簽約項目57個(ge) ,總投資260億(yi) 元,開工項目48個(ge) ,總投資452億(yi) 元,涵蓋生物醫藥、高端裝備製造、新一代信息技術、節能環保等戰略性新興(xing) 領域。

新開工項目包括安捷利電子二期項目,該項目總投資7億(yi) 元,位於(yu) 鹿山路188號,建築麵積約7萬(wan) 平方米,購置激光鐳射鑽孔機、RTR高速多功能工具衝(chong) 孔機等先進設備,新增年產(chan) 120平方集成電路封裝基板及HDI高密度互連積層板產(chan) 能。項目達產(chan) 後,年銷售額不少於(yu) 15億(yi) 元。

新簽約項目包括半導體(ti) 研發生產(chan) 總部項目、識光芯科激光雷達芯片項目、愛思微紅外傳(chuan) 感器研發中心等。其中,半導體(ti) 研發生產(chan) 總部項目總投資30億(yi) 元,全方位覆蓋化合物半導體(ti) 外延業(ye) 務。據介紹,該項目投資方是全球僅(jin) 有的三家可提供大規模商業(ye) 化生產(chan) 的MBE外延供應商之一,填補了國內(nei) 高性能化合物半導體(ti) 外延材料的產(chan) 業(ye) 空白,實現此類關(guan) 鍵材料的國產(chan) 替代,促進我國化合物半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的發展。目前公司股改進行中,計劃2021年報科創板上市。

識光芯科激光雷達芯片項目總投資2.5億(yi) 元,計劃5年內(nei) 打造具備技術領先優(you) 勢的世界一流三維感知獨角獸(shou) 企業(ye) 。項目核心產(chan) 品為(wei) 基於(yu) 專(zhuan) 利核心技術的ToF三維感知片上係統,ToF激光雷達芯片是未來主流的3D傳(chuan) 感解決(jue) 方案,可應用於(yu) 自動駕駛、安防識別、消費電子、3D實時建模等諸多應用場景。


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