昨（19）日，微源光子（深圳）科技有限公司發生工商變更，新增華為(wei) 關(guan) 聯公司 深圳哈勃科技投資合夥(huo) 企業(ye) (有限合夥(huo) ) 為(wei) 股東(dong) ，同時公司注冊(ce) 資本由84.93萬(wan) 元人民幣增加至90.82萬(wan) 元人民幣，增幅6.93%。

Source：企查查

此前，小米關(guan) 聯公司海南極目創業(ye) 投資有限公司已入股該公司，持股6.48%。

企查查信息顯示，該公司成立於(yu) 2018年，經營範圍包含：混合集成電路、片式元器件、光電子器件及傳(chuan) 感器等新型電子元器件的技術開發等。

公開資料顯示，微源光子專(zhuan) 注於(yu) 高性能激光器芯片及配套光電模組的研發、生產(chan) ，核心技術擁有自主知識產(chan) 權，產(chan) 品技術在國內(nei) 有唯一性。據智慧芽數據顯示，微源光子主要專(zhuan) 注於(yu) 激光器、窄線寬、增益芯片、光子芯片、激光雷達等技術領域。

華為(wei) 、小米擴大激光雷達投資版圖！

此前，華為(wei) 哈勃就投資過長光華芯、源傑半導體(ti) 等激光芯片廠商。其中長光華芯已於(yu) 4月1日正式登陸科創板。

實際上，早在2016年，華為(wei) 就開始布局激光雷達市場，進軍(jun) 汽車芯片領域。

2020年11月，T10 ICV CTO峰會(hui) 上，華為(wei) 首次麵向行業(ye) 正式發布了其車規級高性能激光雷達產(chan) 品和解決(jue) 方案。

小米方麵，截止目前，小米係資本投資了四家公司，順為(wei) 資本投資了北醒光子和圖達通；小米長江產(chan) 業(ye) 基金投資了力策科技，小米集團投資了禾賽科技。

隨著汽車朝著智能化的快速發展，自動駕駛概念火熱。而雷達在汽車自動駕駛中扮演著重要的角色，其中激光雷達的性能尤為(wei) 突出。

激光雷達通過激光束能夠精準地探測目標的位置、速度、和方向等，在汽車上應用可高效的感知周邊三維空間的實時信息。同時，激光雷達的探測精度達到了厘米級，且工作性能受環境幹擾較小，大幅提升了自動駕駛的行車安全。車載激光雷達已成車企必爭(zheng) 之地。

氮化镓進入激光雷達市場

激光雷達的激光器是由專(zhuan) 門設計的電路所驅動的，它能夠在短時間內(nei) 提供大量電流。普通的驅動器是由一個(ge) 與(yu) 激光器串聯、充當電流開關(guan) 的元件所構成。在實際的係統中，傳(chuan) 統的Si器件（例如MOSFET）無法實現激光驅動器的高性能輸出，其圖像獲取速度慢且較為(wei) 模糊。

為(wei) 了增強控製並提升相應性能，MOSFET的溝道必須足夠大，這會(hui) 增加寄生電容的充電時間，從(cong) 而導致開關(guan) 頻率太低而不滿足應用所需。此外，散熱管理要達到良好的效果，就需要使用大體(ti) 積、大重量的散熱器，這使得激光雷達發展一度受阻。

近年來，極具成本效益的第三代半導體(ti) GaN技術陸續商用化，其優(you) 越的性能可以更快地觸發激光信號，讓自動駕駛汽車看得更遠、更快速、更清晰。

與(yu) Si MOSFET器件相比，

GaN FET在LiDAR應用中具備多種優(you) 勢

（1）與(yu) 具有相同額定電流的Si MOSFET器件相比，這些GaN器件的輸入電容CISS低出10倍，從(cong) 而使得GaN FET的開啟速度更快；

（2）GaN FET是一種橫向器件，使用晶圓級芯片規模封裝（WLCSP）。WLCSP具有極低的電感、卓越的散熱性能、高可靠性和最小的附加成本；

（3）GaN FET芯片的尺寸比具有相同電壓和額定電流的Si MOSFET小得多，從(cong) 而進一步降低了電感，並使得相鄰的激光器的相互間距可以很窄，對於(yu) 多種應用來說非常有利，例如適用於(yu) 多通道的LiDAR應用。