8月17日，寬帶隙化合物半導體(ti) 的領導者II-VI宣布完成為(wei) 東(dong) 莞天域半導體(ti) 科技有限公司提供150nm碳化矽（SiC）基片超過1億(yi) 美元的合同。該基片將於(yu) 本季度開始交付，直到2023年年底。

東(dong) 莞天域半導體(ti) 成立於(yu) 2009年，是中國第一家最大的SiC外延晶片製造商之一。該公司與(yu) II-VI公司簽署了一份長期供應合同，並支付了預付款，以確保其150nm SiC基板產(chan) 能將滿足其到2023年的需求。

當下，交通基礎設施和工業(ye) 設備的電氣化正在加速以第三代或寬帶隙半導體(ti) 碳化矽 (SiC) 為(wei) 基礎的電力電子的市場轉型。與(yu) 最先進的矽基器件相比，SiC使電力電子器件體(ti) 積更小、效率更高，擁有的總係統級成本更低。另外，鑒於(yu) 其廣泛的應用範圍，基於(yu) SiC的電力電子產(chan) 品能夠顯著減少二氧化碳排放和能源消耗，對環境有著非常有益的影響。

此前2021年11月，天域選擇II-VI作為(wei) 其主要戰略合作夥(huo) 伴，為(wei) 電力電子產(chan) 品供應150nm SiC基片。隨著終端需求的大幅增長，天域通過這份長期、大批量的合同來確保供應變得至關(guan) 重要，這份合同將會(hui) 反複重申，並隨著時間的推移而持續增值。

II-VI去年曾表示，未來5年內(nei) ，將SiC襯底的生產(chan) 能力提高5-10倍。為(wei) 了滿足亞(ya) 洲市場的需求，II-VI在2021年建立了一條超過50,000平方公裏的SiC基板後端加工生產(chan) 線，位於(yu) 中國福州的II-VI亞(ya) 洲區域總部。該生產(chan) 線主要進行後端SiC晶圓加工，包括化學機械拋光、邊緣研磨、清洗和檢測，生產(chan) 的產(chan) 品主要用於(yu) SiC導電襯底。最終，天域將受益於(yu) II-VI在美國和中國的150nm SiC全球產(chan) 能。

早在今年3月8日，東(dong) 莞天域的“國產(chan) 碳化矽外延設備產(chan) 業(ye) 化應用”項目已獲得廣東(dong) 省發改委正式複核通過。公告顯示，該項目總投資額為(wei) 2.138億(yi) 元，計劃年產(chan) 2萬(wan) 片碳化矽外延片。

天域和II-VI將提供高質量可靠的供應鏈和未來200nm的能力，這對支持電動汽車、可再生能源、智能電網、微電網和數據網絡電源等超級市場對SiC電力電子產(chan) 品的快速增長的需求至關(guan) 重要。天宇已經做好了服務中國電動汽車電力電子市場的準備，中國目前是世界上最大的電動汽車市場。