10月27日消息，創合鑫材基金完成對安徽格恩半導體有限公司的獨家投資。格恩半導體主營高端化合物半導體外延材料、芯片及器件的研發、生產和銷售，目前已具備大功率半導體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產能力，多款產品實現國產化替代，是國內唯一量產氮化镓（GaN）基半導體激光器芯片的企業。GaN基半導體(ti) 藍綠光激光芯片市場長期被日本及德國企業(ye) 壟斷，外企占據了激光照明、激光顯示、汽車大燈和激光工業(ye) 焊接的大部分市場，相關(guan) 技術、工藝處於(yu) 保密狀態，下遊國產(chan) 廠商發展受製於(yu) 相關(guan) 芯片及器件的價(jia) 格及供應量，急需國產(chan) 供應商提供替代產(chan) 品。目前，格恩半導體(ti) 是國內(nei) 兼具技術和量產(chan) 能力的廠商，擁有藍綠光半導體(ti) 激光器及高功率LED生產(chan) 線，也是全球少數在該領域擁有外延生長、芯片研製以及器件封裝產(chan) 能的企業(ye) 。格恩半導體(ti) 由國內(nei) 外化合物半導體(ti) 領域領軍(jun) 人才聯合創立。核心團隊成員都具有十年以上豐(feng) 富的化合物半導體(ti) 研發和產(chan) 業(ye) 化經驗，主要技術骨幹包括留學歸國人員及來自中國科學院各院所、清華大學、北京大學、中國科學技術大學等重點院校和國內(nei) 外半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 頭部企業(ye) 的專(zhuan) 家。團隊憑借在化合物半導體(ti) ，尤其是GaN材料領域多年的研發和生產(chan) 經驗，攻克了一係列技術難點，包括設計非對稱壘結構，通過參數控製、機台預處理、特殊摻雜改善銦析出、控製缺陷密度、芯片倒裝結構設計、改善腔麵製作技術、芯片級共晶焊接等，實現了藍綠光激光芯片的量產(chan) 。國投創合表示，第三代半導體(ti) 材料是我國重點發展的新材料領域，也是國投創合重點布局的領域之一。除熱導率外，第三代半導體(ti) 材料GaN的其他關(guan) 鍵參數在眾(zhong) 多半導體(ti) 材料中最優(you) 。因此，GaN應用廣泛，主要包括光電芯片（LED芯片、激光芯片）、功率芯片和射頻芯片等。目前，國內(nei) 普通LED芯片已實現國產(chan) 化替代，但大功率LED芯片、激光芯片、功率芯片和射頻芯片仍亟待加強自主研發。從(cong) 產(chan) 業(ye) 鏈看，GaN產(chan) 業(ye) 鏈分為(wei) 襯底、外延、芯片和器件等環節。因下遊應用類別多，需針對不同應用製作不同的外延層、設計並製造不同的芯片結構，外延層金屬材料的添加、析出控製及芯片垂直結構製造具有較高技術門檻，外延和芯片密不可分。故主流產(chan) 業(ye) 分工方式是襯底企業(ye) 專(zhuan) 攻襯底生長，外延與(yu) 芯片設計製造及封裝在同一企業(ye) 內(nei) 完成。國投創合重點關(guan) 注掌握可量產(chan) 襯底生長技術或同時掌握外延及芯片設計製造技術的IDM企業(ye) 。格恩半導體(ti) 不僅(jin) 瞄準亟待國產(chan) 化替代的激光芯片和大功率LED芯片，並布局了功率芯片和射頻芯片，還同時掌握外延及芯片設計等環節的關(guan) 鍵技術，具有較深的“護城河”。未來，國投創合將發揮產(chan) 業(ye) 鏈及平台資源優(you) 勢，協助格恩半導體(ti) 進一步擴產(chan) ，助力其成為(wei) 國內(nei) GaN領域龍頭企業(ye) 。
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