1月26日，中科院半導體(ti) 所發布王圩院士訃告。

中國共產(chan) 黨(dang) 優(you) 秀黨(dang) 員、中國科學院院士，中國科學院半導體(ti) 研究所研究員、我國著名半導體(ti) 光電子學家王圩先生因病醫治無效，不幸於(yu) 2023年1月26日18點11分在北京逝世，享年86歲。

據介紹，王圩院士是我國著名的半導體(ti) 光電子學專(zhuan) 家，1937年12月25日生於(yu) 河北文安，1960年畢業(ye) 於(yu) 北京大學物理係半導體(ti) 專(zhuan) 業(ye) ，同年到中國科學院半導體(ti) 研究所工作至今。王圩院士為(wei) 我國半導體(ti) 學科建設、技術創新、產(chan) 業(ye) 振興(xing) 以及人才培養(yang) 做出了重要貢獻。先後獲得國家“六五”攻關(guan) 獎、中國科學院科學技術進步一等獎、國家科學技術進步二等獎、中國材料研究學會(hui) 科學技術一等獎等。發表學術論文百餘(yu) 篇。1997年當選中國科學院院士。

王圩院士是我國半導體(ti) 激光器的開拓者，在半導體(ti) 光電子領域辛勤耕耘、造詣頗深，並取得了一係列重要科研成果。

20世紀60年代率先在國內(nei) 研製成功無位錯矽單晶，為(wei) 我國矽平麵型晶體(ti) 管和集成電路的發展做出了貢獻。

70年代率先在國內(nei) 研製成功單異質結室溫脈衝(chong) 大功率激光器和麵發射高亮度發光管，並成功應用於(yu) 夜視和精密測距儀(yi) 等關(guan) 鍵技術上；參與(yu) 建立了國內(nei) 首批Ⅲ-V族化合物液相外延方法，為(wei) 國內(nei) 首次研製成功GaAs基短波長脈衝(chong) 激光器奠定基礎。

80年代至90年代采用大過冷度技術和量子剪裁生長技術，研製出1.3微米/1.5微米激光器和應變量子阱動態單模分布反饋激光器，為(wei) 我國提供了用於(yu) 研發第二、第三代長途大容量光纖通信急需的光源。

進入新世紀以來，王圩院士在半導體(ti) 光電子材料和器件的前端研究領域，主持開展大應變量子阱材料以及不同帶隙量子阱材料的單片集成等關(guan) 鍵技術的研究，建立了可集成半導體(ti) 激光器、電吸收調製器、光放大器、探測器以及耦合器等部件的集成技術平台，為(wei) 開展多個(ge) 光學部件的單片集成技術奠定了基礎，成為(wei) 我國開展InP基功能集成材料及器件研究、技術輻射和應用的基地。

王圩院士甘為(wei) 人梯、提攜後進，在教育戰線上辛勤耕耘60餘(yu) 年，傾(qing) 注了大量心血和汗水，培養(yang) 和造就了一大批優(you) 秀科技人才，對我國光電子學事業(ye) 的發展和光電子學領域人才的培養(yang) 作出了重要貢獻。他嚴(yan) 謹求實、奮鬥不止的科學精神和愛國奉獻、淡泊名利的高尚品德，更是廣大科技工作者和師生學習(xi) 的榜樣。

王圩院士的一生，是無私奉獻的一生，是光榮偉(wei) 大的一生，他對國家和人民無限忠誠，將畢生精力奉獻給了我國科技與(yu) 教育事業(ye) 。他富有遠見卓識和開創精神，以國家的重大需求為(wei) 目標，為(wei) 我國的半導體(ti) 事業(ye) 作出重大貢獻。他嚴(yan) 於(yu) 律己，克已奉公，治學嚴(yan) 謹，為(wei) 人謙和。他的業(ye) 績和品德，為(wei) 中國科技事業(ye) 樹立了一座不朽的豐(feng) 碑，他崇高的科學精神和道德風範永遠值得我們(men) 學習(xi) 和敬仰！

王圩院士的逝世不僅(jin) 是半導體(ti) 研究所的重大損失，也是我國科學界、教育界的重大損失。對王圩院士的逝世,我們(men) 表示深切的哀悼!