長光華芯2022年營收3.86億元，同比下滑9.98%

近日，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司（簡稱“長光華芯”或“公司”，）發布更正2022年度業(ye) 績快報。2022年，長光華芯實現營業(ye) 總收入3.86億(yi) 元，同比下滑9.98%；歸屬於(yu) 母公司所有者的淨利潤1.25億(yi) 元，同比增長8.5%；歸屬於(yu) 母公司所有者的扣除非經常性損益的淨利潤2547.23萬(wan) 元，同比下滑64.81%。長光華芯日前在公開平台透露，公司於(yu) 3月底完成了VCSEL芯片通過了車規級 AEC-Q102 認證，具備技術實力與(yu) 量產(chan) 能力。

長光華芯作為太湖光子產業建設的骨幹公司將推動光子產業的發展。公司的高功率芯片、光通訊芯片、光傳感芯片是光子芯片的大類。公司會發揮 IDM 平台優勢、核心技術儲備優勢、產能優勢及十年的工藝優勢，在光子芯片領域不斷突破。

值得注意的是，日前長光華芯在公開平台答投資者提到，公司於3月底完成了 VCSEL 芯片通過了車規級 AEC-Q102 認證，具備技術實力與量產能力。VCSEL 芯片是公司橫向拓展中重要的發展方向，公司會持續投入研發。VCSEl 可用於多種場景，公司也將配合不同的下遊客戶進行研發升級與工藝優化。

在量產產品方麵，長光華芯已做到全球最高功率，其單管和巴條產品在功率和效率上都處於全球領先。底層技術平台方麵，長光華芯建成了全球唯二、國內唯一的6 吋高功率半導體激光芯片晶圓垂直整合生產線，並在芯片設計、關鍵設備、工藝技術和原材料方麵實現自主可控。長光華芯也在按照II-VI 的路徑進行材料技術平台布局，其具備國內首家IDM GaAs 芯片6 吋產線和3 吋InP 產線，正在開發的GaN 產品線有望在2 年內產生收入，同時在SiC 方麵積極考慮布局。從工藝上看，外延生長決定性能、Fab 決定功率天花板、這二者都需要長期工藝經驗積累，具備較高壁壘，並為長光華芯向更大功率進發打下基礎。公司百餘名研發人員中有多位國家級技術專家人才及二十餘名博士，在本土半導體工藝人才不夠豐沛的前提下，團隊經多年培養而成，形成人才壁壘。

同時，公司通過投資、參股、籌備產業基金的形式借助資本力量持續發展，並培育產業鏈土壤。

半導體激光器底層多為GaAs/InP/GaN 材料，工藝也多為設計+外延生長+Fab 製造+封測，其中外延生長和Fab 製造能力有望完全複用，設計和封測環節則需進一步考慮應用產品的情況。對於長光華芯而言，在技術平台化後，根據不同的應用領域可以不斷橫向擴展芯片產品，從大功率市場走向小功率信號市場。同時，在GaN 平台開發完成後，可進入可見光激光市場及部分無線通信、電功率芯片市場；未來利用化合物半導體基礎將SiC 平台逐漸開發完成後，則可以進軍更大的電功率芯片市場，且能夠與大功率光芯片形成配合，打造成套方案。在優勢的高功率領域則可以深挖打通產業鏈，實現縱向延伸。如在相對早期的車載激光雷達市場從VCSEL 芯片延伸到模組；在技術難度較高且市場規模有限的大功率激光市場，布局該產業鏈的封測環節，並延伸至器件、模組、甚至激光器整機等業務，並由此形成核心優勢競爭力切入特殊應用領域市場。

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