2023年7月3日，中國商務部與(yu) 海關(guan) 總署聯合發布公告，宣布對镓、鍺相關(guan) 物項實施出口管製，自2023年8月1日正式生效。镓、鍺這兩(liang) 種金屬是製造半導體(ti) 和其他電子產(chan) 品的關(guan) 鍵材料。中國是全球镓、鍺儲(chu) 量及產(chan) 量最大的國家之一，中國的禁令被廣泛認為(wei) 是反製西方對中國半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 實施的出口管製措施。這或將會(hui) 對全球的半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 產(chan) 生重大影響。根據公告，镓和鍺相關(guan) 物項的出口經營者如果想開始或繼續向國外出口，將需要通過省級商務主管部門向商務部提出申請。如果是對國家安全有重大影響的所列物項的出口，商務部會(hui) 同有關(guan) 部門報國務院批準。中國的出口經營者應填寫(xie) 兩(liang) 用物項和技術出口申請表並提交下列文件（詳細參考本文附錄）：（一）出口合同、協議的原件或者與(yu) 原件一致的複印件、掃描件；（五）申請人的法定代表人、主要經營管理人以及經辦人的身份證明。關(guan) 於(yu) 公告所涉及的镓和鍺物項類型，其中滿足以下特性的物項，未經許可，不得出口，分別是：金屬镓、氮化镓、氧化镓、磷化镓、砷化镓、銦镓砷、硒化镓、銻化镓；金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺。以下我們(men) 簡要梳理了關(guan) 於(yu) 镓、鍺相關(guan) 物項的部分資料，其中參考了互聯網及芯智訊等信息來源，未經核實，謹供參考：镓(Ga）是一種稀有的藍色或銀白色的金屬，其產(chan) 品熔點很低，但沸點很高，是一種性能優(you) 良的電子原材料，下遊應用領域廣泛，主要應用於(yu) 製作光學玻璃、真空管、半導體(ti) 的重要原料。根據美國地質調查局（USGS）公布的數據，目前全球金屬镓的儲(chu) 量約為(wei) 27.93萬(wan) 噸，而中國的儲(chu) 量最多，達到19萬(wan) 噸，占全球儲(chu) 量的68%左右；相比之下，美國的儲(chu) 量還不到中國的1/40，隻有0.45萬(wan) 噸。從(cong) 產(chan) 量來看，中國產(chan) 量占比全球镓產(chan) 量最高。德國和哈薩克斯坦分別於(yu) 2016年和2013年停止了镓生產(chan) 。（2021年德國宣布將在年底前重啟初級镓生產(chan) ），匈牙利和烏(wu) 克蘭(lan) 分別於(yu) 2015年和2019年停止镓生產(chan) ，中國镓占比全球镓產(chan) 量持續提升，截至2021年，占比全球镓產(chan) 量已超90%。氮化镓並非一個(ge) 新概念，其分子式GaN，是一種直接能隙的半導體(ti) 材料，自1990年起常用在發光二極管中。2019年，氮化镓作為(wei) 第三代半導體(ti) 的主要材料之一首次進入主流消費應用。相對於(yu) 傳(chuan) 統的矽(Si)和砷化镓(GaAs)半導體(ti) 材料，氮化镓具有許多優(you) 點，例如高電子流動率、高飽和漂移速度、高電子密度和高熱導率。這些特性使氮化镓在高功率電子器件（比如快充充電器）、高速光電子器件、高亮度發光二極管(LED)和高效能太陽能電池等領域有廣泛應用。此外，氮化镓還被用於(yu) 製造紫外線激光器、無線電通信設備、醫療器械等。氧化镓晶體(ti) 結構。圖片來源：EETimes China氧化镓（Ga2O3）是一種“超寬禁帶半導體(ti) ”材料，也屬於(yu) “第四代半導體(ti) ”，與(yu) 第三代半導體(ti) 碳化矽、氮化镓相比，氧化镓的禁帶寬度達到了4.9eV，高於(yu) 碳化矽的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從(cong) 價(jia) 帶躍遷到導帶，因此氧化镓具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。並且，在同等規格下，寬禁帶材料可以製造die size更小、功率密度更高的器件，節省配套散熱和晶圓麵積，進一步降低成本。值得注意的是，在2022年8月，美國商務部產(chan) 業(ye) 安全局（BIS）對第四代半導體(ti) 材料氧化镓和金剛石實施出口管製，認為(wei) 氧化镓的耐高壓特性在軍(jun) 事領域的應用對美國國家安全至關(guan) 重要。此後，氧化镓在全球科研與(yu) 產(chan) 業(ye) 界引起了更廣泛的重視。磷化镓是由元素镓與(yu) 元素磷合成的Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體(ti) ，常溫下其純度較高的為(wei) 橙紅色透明固體(ti) 。磷化镓是製作半導體(ti) 可見發光器件的重要材料，主要用作製造整流器，晶體(ti) 管、光導管、激光二極管和致冷元件等。磷化镓和砷化镓是具有電致發光性能的半導體(ti) ，是繼鍺和矽之後的所謂第三代半導體(ti) 。與(yu) 砷化镓不同，磷化镓是一種間接帶隙材料。當引入能形成等電子陷阱的雜質後，其發光效率會(hui) 大大提高，並且能根據引入雜質的不同而發出不同顏色的光來。例如在磷化镓中摻入氮則發綠Chemicalbook光，摻入鋅-氧對則發紅光，因此磷化镓是製作可見光發光二極管和數碼管等光電顯示器件的重要材料，此外還可用來製作光電倍增管、光電存儲(chu) 器、高溫開關(guan) 等器件。砷化镓(GaAs)是當前主流的第二代化合物半導體(ti) 材料之一。其具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、高線性以及低噪聲等特點，在光電和射頻領域有著非常廣泛的應用。比如，砷化镓可以用來製作LED(發光二極管)，主要是黃光、紅光和紅外光（氮化镓禁帶更寬，主要用來發藍光、綠光和紫外光），具有效率高、器件結構精巧簡單、機械強度大、使用壽命長等特點。如果砷化镓作為(wei) 發光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻製成激光器。典型應用就是VCSEL（垂直腔表麵發射激光器），廣泛應用在短距離數據中心光纖通信，結構光/TOF人臉識別等。另外，砷化镓的電子遷移率是矽的五倍，HBT的Ft高達45GHz，0.25um E mode pHEMT的Ft更是高達70GHz，因此砷化镓非常適合設計Sub-7GHz的射頻器件。蜂窩和WLAN PA也常用砷化镓HBT設計；開關(guan) 、LNA等則采用砷化镓pHEMT工藝。銦镓砷(InGaAs)是一種III-V族半導體(ti) ，具有晶格匹配性好、帶隙可調節、大尺寸產(chan) 品均勻性好等優(you) 點，是第四代半導體(ti) 材料，也是新一代紅外發光材料，在光電芯片、紅外探測器、傳(chuan) 感器等領域擁有巨大應用價(jia) 值。在光電芯片領域，為(wei) 製造體(ti) 積更小、功能集成度更高的晶體(ti) 管，傳(chuan) 統矽材料已無法滿足需求，砷化銦镓可達到此要求。在紅外探測器領域，砷化銦镓可用作短波紅外光電材料，製造短波紅外探測器，也可以與(yu) 其他III-V族半導體(ti) 相配合製備超晶格材料，例如以磷化銦為(wei) 襯底，外延生長砷化銦镓，製備得到InP/InGaAs超晶格，此材料穩定性高、均勻度高，以其為(wei) 敏感材料製造而成的紅外探測器，具有高靈敏度、高可靠性、低功耗、低成本等優(you) 點，可以廣泛應用在智能駕駛、安防監控、儀(yi) 器儀(yi) 表等領域。在傳(chuan) 感器領域，由於(yu) 砷化銦镓靈敏度高，可製造InGaAs紅外掃描相機，是OCT（光學相幹斷層掃描）的關(guan) 鍵組成部分，可提高人體(ti) 組織穿透性，並實現高速成像。OCT是新型醫學影像技術，在生物組織活體(ti) 檢測與(yu) 成像方麵效果顯著，在臨(lin) 床上可以廣泛應用在眼科、牙科、皮膚科、癌症早期診斷等方麵，是醫療領域重要疾病診斷技術之一，此外也可以應用於(yu) 工業(ye) 測量領域。硒化镓是一種重要的二元半導體(ti) ，它具有各向異性、較寬的帶隙、新奇的光學和電學性質等特性。這使得硒化镓在太陽能電池、光探測器及集成光電子器件等領域有很好的應用前景。另外，由於(yu) 硒化镓晶體(ti) 具有優(you) 異的抗幹擾性能和低損耗性能，它可以用於(yu) 高精度技術應用，如高精度電子儀(yi) 器、電氣控製係統和光學係統。此外，硒化镓晶體(ti) 還具有優(you) 異的耐腐蝕性和低氧化性，可以用於(yu) 各種酸性和堿性腐蝕性環境中的應用，是一種優(you) 良的精密機械製造材料。銻化镓屬於(yu) III-V族化合物窄帶隙半導體(ti) ，外觀為(wei) 灰白色晶體(ti) 狀，為(wei) 立方晶係、閃鋅礦結構。銻化镓是第四代半導體(ti) 材料中窄帶隙半導體(ti) 的代表性產(chan) 品之一，具有電子遷移率高、功耗低的特點，其禁帶寬度可以在較寬的範圍內(nei) 進行調節，在中長波紅外波段探測性能優(you) 異。銻化镓常用作襯底材料，可以廣泛應用在紅外探測器、激光器、發光二極管、光通信、太陽能電池等行業(ye) 中。在光通信中，波長越長的光在傳(chuan) 輸過程中損耗越低，工作波長2-4μm的非矽材料光傳(chuan) 輸損耗更低，銻化镓可以工作在此波段範圍內(nei) ，並且能夠與(yu) 其他III-V族材料晶格常數相匹配，製得的GaSb/GaInAsSb等產(chan) 品光譜範圍符合光通信的低損耗要求。據了解，發展銻化物半導體(ti) 材料是整個(ge) 光通訊領域中核心技術發展的戰略方向之一。銻化镓半導體(ti) 主要應用於(yu) 光纖通訊的發射基站，其傳(chuan) 輸信號的頻率可以達到300赫茲(zi) 以上。銻化镓(銻化物半導體(ti) 材料)未來在6G等應用上，可能是不可替代的傳(chuan) 輸載體(ti) 。在紅外探測器領域，銻化镓憑借光譜覆蓋範圍寬、頻帶寬度可調節的優(you) 勢，以其為(wei) 襯底製備的二類超晶格材料例如InAs/GaSb探測性能優(you) 異、成像質量高，可製造高性能紅外焦平麵成像陣列，特別是在中紅外探測器製造中具有不可替代性，而紅外焦平麵成像陣列具有多色、大麵陣、功能集成化的特點，是第三代紅外探測器。除此之外，銻化镓在太陽能電池中也有巨大應用價(jia) 值。2017年7月，美國喬(qiao) 治華盛頓大學與(yu) 其他科研機構、高校以及公司合作，設計出一款銻化镓基太陽能電池，可以捕獲不同波長的太陽光，光電轉化效率達到44.5%，遠高於(yu) 同期其他太陽能電池。鍺（Ge）是一種灰白色準金屬，也是典型的稀散金屬，其主要以含硫化物的鉛、鋅、銅等礦物的伴生礦產(chan) 以及一部分含鍺褐煤存在，很少有獨立礦床存在。在實際開采中，通常和含硫化物的鉛、銅以及煤炭等相伴而生。不僅(jin) 含量少、開采難度大，而且提取也極為(wei) 麻煩，因此它的產(chan) 量始終都不高。根據美國地質調查局所出示的最新勘測報告顯示，全球已探明8600噸鍺儲(chu) 量中，美國獨占鼇頭達到3870噸，緊隨其後的中國，探明儲(chu) 量為(wei) 3500噸。兩(liang) 國所擁有的鍺含量，占據世界鍺總儲(chu) 量的8成以上，鍺對於(yu) 兩(liang) 國來說，都是一種優(you) 勢礦種。我國是全球鍺資源儲(chu) 量和消費大國，鍺資源主要分布在雲(yun) 南、內(nei) 蒙古等地區，其中雲(yun) 南是國內(nei) 最大的鍺資源儲(chu) 存區域，占比達到35%左右。經過多年發展與(yu) 積累，我國鍺產(chan) 業(ye) 鏈布局逐漸完善，鍺加工企業(ye) 主要集中在二氧化鍺、四氯化鍺、區熔鍺錠等深加工環節。從(cong) 產(chan) 量來看，根據2019年的行業(ye) 報告顯示，全球一年的原生鍺的產(chan) 量為(wei) 131噸，和年產(chan) 幾萬(wan) 億(yi) 噸的銅鐵完全不具備可比性。而在為(wei) 數不多的產(chan) 量中，中國產(chan) 量居於(yu) 世界榜首，供給量占比超過六成。常規的金屬鍺製備方法為(wei) ，鍺原料通過酸蒸餾成為(wei) 四氯化鍺，四氯化鍺再經過水解轉化為(wei) 二氧化鍺，二氧化鍺再經過還原成為(wei) 還原鍺，還原鍺再進行區熔提純過程得到金屬鍺。中間需要經過水解、還原、區熔等過程，生產(chan) 工藝流程較長，設備設施投入較多，過程中帶入雜質造成金屬鍺產(chan) 品二次汙染的幾率較大。磷化鍺鋅晶體(ti) 是一種新型的中遠紅外波段非線性光學材料，可實現激光器的小型化、固態化和高功率輸出，在民用和國防領域有重要應用。民用領域可應用於(yu) 紅外光譜、紅外醫療器械、大氣中有害物質監測、遠距離化學傳(chuan) 感、深空探測等；國防領域可應用於(yu) 紅外激光定向幹擾、紅外遙感、激光雷達等。磷鍺鋅晶體(ti) 是一種性能優(you) 異的新型中紅外高功率非線性光學材料，它具有紅外透明範圍寬、非線性光學係數大、導熱率高、光損傷(shang) 閾值高、耐腐蝕等優(you) 點，可實現激光器的小型化、固態化和高功率輸出。可用於(yu) 製備中紅外高功率激光頻率轉換器件，如差頻、倍頻、光參量振蕩器件等，在紅外製導、紅外測距、紅外探測等國防和民用領域有廣泛的應用前景。二氧化鍺（GeO2），外觀為(wei) 白色粉末或無色結晶，為(wei) 四方晶係、六方晶係或無定形體(ti) ，二氧化鍺不溶於(yu) 水和鹽酸，可溶於(yu) 堿液生成鍺酸鹽。二氧化鍺是製造其他鍺產(chan) 品的基礎材料，例如光纖四氯化鍺、區熔鍺錠、鍺化合物等，廣泛應用在電子、化工、塑料、光學鏡頭、光學玻璃、半導體(ti) 材料以及光譜分析材料等領域。近年來，伴隨下遊市場不斷發展，二氧化鍺市場需求漸釋放，高純二氧化鍺生產(chan) 能力穩定提升。高純二氧化鍺可分為(wei) GeO2-05、GeO2-06兩(liang) 個(ge) 牌號，其中GeO2-05的二氧化鍺純度不小於(yu) 99.999%；GeO2-06的二氧化鍺純度不小於(yu) 99.9999%。近年來，伴隨電子、半導體(ti) 等產(chan) 業(ye) 的快速發展，市場對二氧化鍺的粒度、鬆裝密度、純度等有了更高的要求，在此背景下，高純二氧化鍺市場需求不斷釋放。為(wei) 規範高純二氧化鍺產(chan) 品質量、擴大高純二氧化鍺生產(chan) 能力，我國政府出台了一係列高純二氧化鍺相關(guan) 標準及政策，二氧化鍺產(chan) 業(ye) 結構逐漸得到優(you) 化。四氯化鍺是一種無色的發煙液體(ti) ，帶一股獨特的酸性臭味。它是生產(chan) 高純鍺過程中的反應中間體(ti) 。四氯化鍺可用來生產(chan) 純金屬鍺，高純四氯化鍺可用來製備高純二氧化鍺，純度更高的光纖級四氯化鍺可作為(wei) 摻雜劑用於(yu) 光纖預製棒生產(chan) 中，可以實現光纖無損耗信號傳(chuan) 輸，大幅提高光纖性能。光纖級四氯化鍺是生產(chan) 光纖預製棒的重要原材料之一，可以提高纖芯折射率，從(cong) 而降低光傳(chuan) 輸損耗、提升光傳(chuan) 輸距離。光纖預製棒是光纖產(chan) 業(ye) 中利潤最高的環節，隨著我國光纖光纜行業(ye) 規模不斷擴大，我國市場對光纖預製棒的需求不斷增長，拉動我國光纖級四氯化鍺需求不斷上升。根據《中華人民共和國出口管製法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關(guan) 法》有關(guan) 規定，為(wei) 維護國家安全和利益，經國務院批準，決(jue) 定對镓、鍺相關(guan) 物項實施出口管製。有關(guan) 事項公告如下：1.金屬镓（單質）（參考海關(guan) 商品編號：8110929010、8112929090、8112999000）。2.氮化镓（包括但不限於(yu) 晶片、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2850001901、3818009001、3825690001）。3.氧化镓（包括但不限於(yu) 多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2825909001、3818009002、3825690002）。4.磷化镓（包括但不限於(yu) 多晶、單晶、晶片、外延片等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2853904030、3818009003、3825690003）。5.砷化镓（包括但不限於(yu) 多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2853909026、3818009004、3825690004）。6.銦镓砷（參考海關(guan) 商品編號：2853909028、3818009005、3825690005）。7.硒化镓（包括但不限於(yu) 多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2842909024、3818009006、3825690006）。8.銻化镓（包括但不限於(yu) 多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2853909029、3818009007、3825690007）。1.金屬鍺（單質，包括但不限於(yu) 晶體(ti) 、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：8112921010、8112921090、8112991000）。2.區熔鍺錠（參考海關(guan) 商品編號：8112921090）。3.磷鍺鋅（包括但不限於(yu) 晶體(ti) 、粉末、碎料等形態）（參考海關(guan) 商品編號：2853904040、3818009008、3825690008）。4.鍺外延生長襯底（參考海關(guan) 商品編號：8112921090）。5.二氧化鍺（參考海關(guan) 商品編號：2825600002、3818009009、3825690009）。6.四氯化鍺（參考海關(guan) 商品編號：2827399001、3818009010、3825690010）。二、出口經營者應按照相關(guan) 規定辦理出口許可手續，通過省級商務主管部門向商務部提出申請，填寫(xie) 兩(liang) 用物項和技術出口申請表並提交下列文件：（一）出口合同、協議的原件或者與(yu) 原件一致的複印件、掃描件；（五）申請人的法定代表人、主要經營管理人以及經辦人的身份證明。三、商務部應當自收到出口申請文件之日起進行審查，或者會(hui) 同有關(guan) 部門進行審查，並在法定時限內(nei) 作出準予或者不予許可的決(jue) 定。對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口，商務部會(hui) 同有關(guan) 部門報國務院批準。四、經審查準予許可的，由商務部頒發兩(liang) 用物項和技術出口許可證件（以下簡稱出口許可證件）。五、出口許可證件申領和簽發程序、特殊情況處理、文件資料保存年限等，依照商務部、海關(guan) 總署令2005年第29號（《兩(liang) 用物項和技術進出口許可證管理辦法》）的相關(guan) 規定執行。六、出口經營者應當向海關(guan) 出具出口許可證件，依照《中華人民共和國海關(guan) 法》的規定辦理海關(guan) 手續，並接受海關(guan) 監管。海關(guan) 憑商務部簽發的出口許可證件辦理驗放手續。七、出口經營者未經許可出口、超出許可範圍出口或有其他違法情形的，由商務部或者海關(guan) 等部門依照有關(guan) 法律法規的規定給予行政處罰。構成犯罪的，依法追究刑事責任。
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