10月15日，

萊普科技全國總部

暨集成電路裝備研發製造基地項目

在成都高新區

成功舉(ju) 行奠基儀(yi) 式。

項目名片

項目總投資：

16.6億(yi) 元

項目麵積：

占地麵積39畝(mu) ，建築麵積6.5萬(wan) 平米

項目規劃：

將於(yu) 2023年10月開工建設，預計2025年5月前通過並聯並行竣工驗收，2026年5月全麵達產(chan) 。

主要建設內(nei) 容：

萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發製造基地項目（即成都萊普科技股份有限公司總部暨生產(chan) 基地建設項目）包括企業(ye) 全國總部、技術中心、製造中心、服務中心以及核心零部件研發及產(chan) 業(ye) 化基地，並將同步建設中科院半導體(ti) 所成都半導體(ti) 材料先進激光加工技術聯合實驗室及培訓基地、四川省全固態先進激光工程技術研究中心等項目。

企

業(ye)

說

項目的落地將有力推動我國半導體(ti) 領域激光裝備和技術的進步。在集成電路製造前道工藝創新、先進激光技術應用與(yu) 係統集成、核心零部件自主可控、專(zhuan) 業(ye) 人才培養(yang) 等方麵產(chan) 生積極作用。

——萊普科技相關(guan) 負責人表示

作為(wei) 成都產(chan) 業(ye) 發展高地，成都高新區大力推進新型工業(ye) 化，持續推動半導體(ti) 設備材料國產(chan) 化進程。

成都高新西區鳥瞰圖

今年3月，成都高新區發布了《成都高新區集成電路建圈強鏈三年攻堅計劃（2023-2025）》（征求意見稿），按照“補製造、強設計、擴封測、延鏈條”的總體(ti) 思路，以模擬芯片為(wei) 核心，以算力芯片、存儲(chu) 芯片及功率器件為(wei) 重點，構建規模大、技術強、要素全的集成電路全產(chan) 業(ye) 鏈，加快“中國存儲(chu) 穀”建設。力爭(zheng) 到2025年，實現集成電路產(chan) 業(ye) 規模突破1700億(yi) 元。