2月21日,利揚芯片全資子公司利陽芯(東(dong) 莞)微電子有限公司正式開業(ye) 。

利陽芯在晶圓減薄、拋光技術工藝方麵,目前可提供業(ye) 內(nei) 最高標準的超薄晶片減薄加工技術服務。采用全自動研削拋光機,實現背麵研削和去除應力的一體(ti) 化作業(ye) ,可穩定地實施厚度在25μm以下的薄型化加工。
利陽芯在激光開槽技術工藝方麵,采用非接觸的激光加工去除晶圓切割道表麵的金屬布線層,支持晶圓的開槽和全切工藝,激光開槽寬度20-120μm連續可調,開槽深度可達26-30μm,有較好的槽型和深度穩定性,適用於(yu) 切割道存在多金屬、厚金、Low-K、鈍化層等多種情況。激光開槽工藝技術解決(jue) 常規刀片切割帶來的崩邊、金屬卷邊和金屬殘留等異常及正麵鈍化層破裂的品質問題,避免芯片產(chan) 品存在可靠性風險。
利陽芯擁有業(ye) 內(nei) 領先的無損內(nei) 切激光隱切技術。隱形切割是將激光聚焦於(yu) 晶圓內(nei) 部以形成改質層,配合擴片將晶圓分割成die(裸片/裸晶)的切割方法。該技術可適用於(yu) 加工最窄20μm切割道的晶圓,(標準劃片道由60μm縮小至20μm),提升晶圓芯片麵積的利用率,提高Gross dies的數量,預計降低芯片成本最大可達30%以上。激光隱切技術可取代很多傳(chuan) 統金剛石水切工藝無法解決(jue) 的技術難題。
另外,激光隱切屬於(yu) 幹式環保工藝,無損內(nei) 切在加工品質上的優(you) 勢如下:(1)可以抑製加工碎屑的產(chan) 生,抗汙,防止芯片的正背麵崩邊和側(ce) 崩,有效避免對芯片線路的損傷(shang) ;(2)隱切對正麵鈍化層的保護更加完好,汙染、微粒粘附、PAD氧化等影響鍵合難題均可以得到有效的解決(jue) ,從(cong) 而保證客戶芯片產(chan) 品穩定的品質和良率,對高可靠性芯片包括特種芯片更是提升品質的最佳解決(jue) 方案。
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