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源傑科技發布量產50G EML+SOA激光器

fun88网页下载 來源:源傑科技2025-02-11 我要評論(0 )   

伴隨著AI突飛猛進的跨越式發展,除了數據中心帶寬爆發性增長外,接入帶寬需求不斷攀升,固網接入主流應用速率將從(cong) 10Gbps跨步到50Gbps, 50G PON將是有線寬帶接入下一階...

伴隨著AI突飛猛進的跨越式發展,除了數據中心帶寬爆發性增長外,接入帶寬需求不斷攀升,固網接入主流應用速率將從(cong) 10Gbps跨步到50Gbps, 50G PON將是有線寬帶接入下一階段的部署趨勢,並有機會(hui) 在AI的推動下實現加速。


作為(wei) 行業(ye) 領先的高速光芯片供應商,源傑科技基於(yu) 10+年激光器芯片研發積累,借助10G 1577nm EML+SOA大規模量產(chan) 經驗,成功研發並批量出貨集成SOA的大光功率50G 1342nm EML+SOA激光器芯片,適用於(yu) 下一代高速PON網絡的50G PON OLT係列EML光芯片解決(jue) 方案。同時,2025年源傑科技計劃推出滿足更高功率版本OLT端的50G 1342nm EML+SOA產(chan) 品。

針對50G PON應用,源傑科技提供全套解決(jue) 方案,非對稱ONU端(1286波段)采取DML方案,目前在客戶端已實現批量;對稱ONU(1286波段)和OLT端(1342波段)均采取EML+SOA 方案,滿足ITU標準C+標準,已實現批量發貨下遊客戶。

圖片圖1:50Gbps 1342nm EML+SOA 激光器 S21曲線;測試條件:50℃, LD=100mA, SOA=100mA, EA=-0.6V
圖片圖2:50Gbps 1342nm EML+SOA 激光器眼圖;測試條件:50℃, LD=100mA, SOA=100mA, EA=-0.7V,Vpp=1.5V
圖片圖3:50G 1342nm EML+SOA激光器DC Characteristic;測試條件:IDFB = 100mA, ISOA = 100mA
該係列芯片具備高帶寬、大消光比、大功率、低噪聲等特點,成熟的DFB+EA對接結構設計與(yu) 工藝實現低損耗、高可靠性,助力50G PON產(chan) 業(ye) 化落地。
來源:源傑科技


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