4月17日晚間,長光華芯發布2025年年度報告。報告顯示,公司全年實現營業(ye) 收入4.77億(yi) 元,同比增長75.09%,創下上市以來最高增速;歸母淨利潤達2176.41萬(wan) 元,成功實現大幅扭虧(kui) 為(wei) 盈。
隨著光通信、車載激光雷達等新興(xing) 賽道逐步放量,以及AI算力需求推動下高端光通信芯片市場的結構性機遇,長光華芯已展現出一家橫跨工業(ye) 激光、光通信與(yu) 激光雷達的“平台型”科技企業(ye) 的成長潛力。
營收大增75.09%, 淨利實現反轉
年報顯示,2025年,長光華芯實現營業(ye) 收入4.77億(yi) 元,同比大增75.09%。與(yu) 此同時,公司利潤端實現曆史性突破,歸母淨利潤2176.41萬(wan) 元,較2024年虧(kui) 損9973.59萬(wan) 元實現了大幅扭虧(kui) 。
這份亮眼的業(ye) 績源於(yu) 公司兩(liang) 大業(ye) 務板塊的同步發力。其中,高功率單管芯片係列產(chan) 品表現尤為(wei) 突出,實現收入3.86億(yi) 元,占總營收的84.22%,成為(wei) 公司業(ye) 務增長的絕對支柱。
伴隨工業(ye) 激光設備市場複蘇與(yu) 國產(chan) 替代加速,公司單管芯片實現產(chan) 銷雙增,單價(jia) 與(yu) 結構優(you) 化帶動整體(ti) 毛利上升。
聚焦激光芯片, 平台化布局顯現
報告稱,公司在核心的高功率半導體(ti) 激光芯片領域持續鞏固IDM(垂直整合製造)工藝優(you) 勢。報告期,高亮度單管芯片在500μm條寬下創下室溫連續功率超過132瓦、轉換效率62% 的新紀錄,而9XXnm係列芯片在330μm發光區實現50W的穩定量產(chan) 輸出,技術水平國際領先。
在橫向擴展方麵,公司VCSEL及光通信芯片係列實現銷售收入4119.38萬(wan) 元,占總收入比重已達9.0%,成為(wei) 名副其實的第二增長曲線。尤其在光通信領域,隨著AI算力需求飆升和800G/1.6T光模塊技術迭代加速,公司已建成涵蓋VCSEL、DFB、EML和PIN四大類光通信芯片的產(chan) 品矩陣。
其中,100G EML已實現量產(chan) ,200G EML進入客戶驗證階段,100G VCSEL與(yu) 100mW CW DFB等芯片均進入規模交付階段。
目前,公司正朝著激光芯片、光通信、傳(chuan) 感器三大領域並舉(ju) 的“平台型”公司跨越,這是長光華芯2025年業(ye) 績增長的重要驅動力。
打通新賽道, 海外布局加速
報告期內(nei) ,公司在市場開拓上展現出強勁的係統作戰能力。在工業(ye) 激光器傳(chuan) 統戰場,高功率單管芯片受益國產(chan) 替代需求回暖,持續鞏固下遊如華日激光等龍頭廠商戰略合作。而在光通信、激光雷達等潛力市場,公司則抓住了“後摩爾時代”對高速光芯片需求快速增長的關(guan) 鍵窗口期。
為(wei) 匹配AI算力對高帶寬、低功耗光模塊的迫切需求,公司明確布局矽光集成及薄膜铌酸鋰等下一代技術路線。
2025年,公司投資設立蘇州星鑰光子科技,專(zhuan) 注矽光集成研發;並通過全資子公司入股蘇州勻晶光電,提前占領高速調製器用薄膜铌酸鋰核心材料賽道。
在海外市場,長光華芯乘光芯片全球缺貨的契機,積極推動國產(chan) 芯片出海,逐步搭建海外代理商體(ti) 係,為(wei) 業(ye) 績全球增長埋下伏筆。
聚焦產(chan) 業(ye) 突圍與(yu) 產(chan) 能提升
麵對全球光子產(chan) 業(ye) 正從(cong) “電”向“光”轉換的趨勢,長光華芯明確了“一平台、一支點、橫向擴展、縱向延伸”的發展戰略。
其中,平台指的是公司蘇州半導體(ti) 激光創新研究院;支點則是核心技術——高功率半導體(ti) 激光芯片。在此基礎上進行橫向技術拓展與(yu) 縱向產(chan) 業(ye) 鏈向下延伸,已成為(wei) 公司突破現有市場邊界的關(guan) 鍵路徑。
根據年報透露,公司2026年計劃聚焦三大任務:持續加大研發投入,在新一代AI數據中心光通信芯片、激光雷達芯片、藍綠激光(GaN) 等項目開展關(guan) 鍵技術攻關(guan) ;加快推進6吋半導體(ti) 激光芯片量產(chan) 線的產(chan) 能釋放,並將部分生產(chan) 工藝實現更高水平的自動化以穩定良率、降低成本;同步加快光通信和車載激光雷達產(chan) 品導入速度,重點突破車規級激光雷達VCSEL/ EEL芯片量產(chan) 認證和批量供應能力,進一步打開長期成長空間。
來源:fun88网页下载 編輯:十一郎
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