在科學研究中，電光Q開關(guan) 驅動源因其具有開關(guan) 速度快、開關(guan) 徹底和口徑大等優(you) 點，在調Q型激光器研究領域中得到廣泛的應用；在工業(ye) 應用中，電光Q開關(guan) 驅動源在立體(ti) 平板印刷術和硬盤電阻微調、存儲(chu) 修複、通孔打鑽、印刷電路板製作、晶片雕刻和做標記等方麵也得到了廣泛的應用。隨著研究的深入和技術的發展，人們(men) 對電光Q開關(guan) 驅動源的工作頻率要求越來越高。高重複電光Q開關(guan) 是高重複激光器的關(guan) 鍵部件，研究其驅動源，對高重複激光技術的發展具有重要意義(yi) 。此外，在高速攝影係統、光調製以及各種工業(ye) 應用中，也需要工作頻率在兆赫茲(zi) 的高重複電光Q開關(guan) 。經查閱國內(nei) 外資料，可知目前國內(nei) 研製的電光Q開關(guan) 的最高頻率為(wei) 25 kHz，工作電壓較低，且技術不成熟，國外最高頻率可達1MHz，但是脈衝(chong) 電壓僅(jin) 為(wei) l kv。所以，50kHz／3kV的Q開關(guan) 驅動源技術研究逐漸成為(wei) 了目前國內(nei) 外的研究熱點。
       在以往研製的電光Q開關(guan) 驅動源中，最高工作頻率lkHz、工作電壓1 kV～5 kV、脈衝(chong) 前沿30ns脈衝(chong) 寬度l00ns，由於(yu) 脈衝(chong) 形成級的開關(guan) 管功率和頻響所限，再往上做困難很大。隨著科學技術的發展，幾百伏到一千伏快速的開關(guan) 管種類很多，但三千伏的快速開關(guan) 管很少。國外研製的Q開關(guan) 驅動源中開關(guan) 管，采用的是多個(ge) 快速MOSFET管串聯形成的，它對管子的穩定性、分散性(Ins左右)、頻率響應(GHz)和同步性要求很高，類似這種參數的管子國內(nei) 很難買(mai) 到，國內(nei) 一般研製的Q開關(guan) 驅動源中開關(guan) 管采用多個(ge) 快速MOSFET管串聯，但由於(yu) 穩定性、分散性(10ns左右)、頻率響應(200MHz)和同步性較低，該電源指標隻能做到脈衝(chong) 前沿在30ns左右、平頂寬度大於(yu) lOOns、重複頻25kHz，很難達到現階段高重複激光器的發展需求。