一、準分子激光簡介

準分子激光大約可分成三大類，一為(wei) 惰性氣體(ti) 準分子激光，工作物質為(wei) Xe2，Ar2， Kr2 等，一為(wei) 惰性氣體(ti) 原子和鹵素氣體(ti) 原子結合成的準分子，工作物質為(wei) XeF、KrF、ArF、XeCl、XeBr 等，此種準分子激光研究較為(wei) 廣泛，商品化者較多，第三類為(wei) 金屬原子和鹵素原子結合而成的準分子，工作物質為(wei) HgCl、HgBr、CuF 等。

準分子激光的輸出光波均在紫外光領域，ArF 的輸出波長為(wei) 192nm，KrF 的輸出波長為(wei) 249nm，XeCl 的輸出波長為(wei) 308nm，由於(yu) 紫外光波的光子能量高，且可聚焦至非常小之光點，可應用於(yu) 微細加工之領域。在工業(ye) 應用方麵，主要用於(yu) 微電子工業(ye) 之修整，例如VLSI 及內(nei) 存等。這種雷射在加工上的應用，其原因有二，其中之一是它輸出紫外線，金屬吸收紫外線的能力較可見光或紅外線強，故適用於(yu) 金屬加工。其二是這一類紫外線雷射的效率很高，加工之經濟效益較大。故有不少雷射製造商從(cong) 事工業(ye) 用準分子激光的生產(chan) 。

二、於(yu) 半導製程中之應用頗受注目

準分子激光主要製造商有Lambda Physik、Cymer Laser Tech、Lumonics 等，Lambda Physik的308nm 工業(ye) 用準分子激光在市場上相當成功，Lumonics 的產(chan) 品以半導體(ti) 生產(chan) 製程上的材料處理為(wei) 主，Cymer Laser Tech 則以lithography 為(wei) 目標市場。

據Semiconductor Wafer-stepper 的製造者ASM Lithography(ASML, Tempe,AZ)表示，全球深紫外線(Deep Ultraviolent)DUV 市場將持續擴大， 1995 年僅(jin) 5%的lithograhy(光蝕刻法)係統為(wei) DUV 係統，預估2005 年DUV 係統將占lithography 係統市場的25%。由於(yu) ASML 公司看好短波長光源於(yu) 半導體(ti) 製程上之應用市場，因此正在發展準分子激光係統(精度0.25mm)，目標市場為(wei) 256Mbits 的記憶芯片及先進的微處理器。而歐洲最大的雷射製造商─Lambda Physik 指出，該公司目前係準分子激光全球市場領導者，其估計1996~2000 年全球工業(ye) 用準分子激光市場約300 台，主要用於(yu) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 。此外，由於(yu) 準分子激光於(yu) 半導體(ti) 製程上之應用頗具潛力，因此Lambda Physik對DRAM 之演進及曝光光源做了比較，結果請見表1 及表2。

從(cong) 表1 及表2 可明顯發現，準分子激光因其波長短可聚至小光點，的確為(wei) 下一代半導體(ti) 曝光光源之利器。

表1 ：DRAM 發展預測

年         份	1995	1998	2001	2004	2008
DRAM(bit)	64M	256M	1G	4G	16G
最小線徑(mm)	0.35	0.25	0.18	0.12	0.085

  表2 ： 曝光光源之特性比較

光源種類	汞燈	準分子激光	KrF	ArF
波長(nm)	365	248	193	157
分辨率(um)	0.4	0.2	0.15	0.12

        三、準分子激光發展方向

因為(wei) 準分子隻能瞬時存在，所以隻有用瞬時脈衝(chong) 高壓來進行放電，以求在短時內(nei) 造成大量的準分子。它的基本結構與(yu) 二氧化碳雷射相似，但在放電電路方麵隻提供快升速脈衝(chong) 高壓，而無直流高壓。在材料方麵，必須采用抗蝕性的，以免受鹵族氣體(ti) 侵蝕而破壞雷射本體(ti) 。今後的技術研究有高重複率，大輸出化，高效率化，長脈衝(chong) 化，窄譜線化，長壽命化等。高重複率、大輸出化放電激發方式由於(yu) 體(ti) 積小，容易處理，可高重複率輸出，因此具有很高的實用價(jia) 值，因此市麵上所賣的產(chan) 業(ye) 用準分子激光全部都是放電激發方式。

放電激發方式的開發可分為(wei) 兩(liang) 類，一種是單脈衝(chong) 的大輸出化，另一種是高重複率、高平均輸出功率化。最高重複率方麵，紫外線預先電離方式為(wei) 250Hz 左右，電暈放電預先電離方式為(wei) 500-600Hz 左右，所使用的開關(guan) 組件為(wei) 閘流管（Thyratron）。

為(wei) 對象的千瓦級平均輸出功率，重複率kHz 級的大輸出功率準分子激光，作為(wei) 應用開發之用。而且可想象的技術內(nei) 容將是開關(guan) 的固態化，預先電離方式則采用電暈放電或X 光線。高效率化準分子激光的效率（光輸出功率/電容器充電能量）通常約2%左右，要達到產(chan) 業(ye)

用的實用化則效率的再提高為(wei) 必須的課題。

長脈衝(chong) 化準分子激光的脈衝(chong) 寬度很短，通常為(wei) 15~20ns，此為(wei) 低效率的原因之一。而在CVD

的應用上處理速度決(jue) 定於(yu) 工作周期(Duty Cycle)，故成為(wei) 低生產(chan) 性的原因。脈衝(chong) 寬度如能加長，則共振腔的效率將會(hui) 提高，光速質量與(yu) 脈衝(chong) 工作周期都會(hui) 提升，當放電由輝光放電轉成弧光放電時，雷射共振隨之停止，脈衝(chong) 寬度即受限於(yu) 此，如何長時間持續高密度輝光放電為(wei) 其關(guan) 鍵所在。

窄光譜化在雷射共振腔內(nei) 放置2 枚幹涉器(Etalon)，其一為(wei) 粗調幹涉器產(chan) 生單一光譜，另一幹涉器（精調幹涉器）僅(jin) 能使更窄的光譜成份發振。此種雙重幹涉器方式的輸出功率僅(jin) 為(wei) 寬帶寬時的幾分之一，波長寬度為(wei) 2~3nm。

長壽命化準分子激光實用化的最大障礙是氣體(ti) 、電極、開關(guan) 組件、光學組件等的壽命， 仍無決(jue) 定性的對策或防止方法，必須針對基本材料、鍍膜、耐光強度等作綜合的研討。

四、結論

準分子激光加工機於(yu) 國內(nei) 並無生產(chan) 者，僅(jin) 有使用者，半導體(ti) 上遊之IC 廠大都有準分子激光用於(yu) 曝光光源，產(chan) 品多來自於(yu) 德國或日本，而在其它單位方麵，中科院預計年底前引進一台準分子激光加工機做準分子激光加工之研究，此舉(ju) 對準分子激光於(yu) 非半導體(ti) 曝光光源之應用應有幫助。