半導體(ti) 激光器專(zhuan) 家德國DILAS 正式發布可用基於(yu) 技術領先的TBAR迷你陣列的高亮度光纖耦合模塊 。這種光纖耦合模塊模塊通過光纖芯徑200μm(包層220um)，數值孔徑0.22 的光纖能輸出功率達到135W，波長為(wei) 976nm。
    這種特製的迷你陣列結構是由DILAS 創新研發出為(wei) 實現最高效光纖耦合效率的高亮度輸出而特別設計的一款超高效率半導體(ti) 芯片封裝而成。該迷你陣列結構所產(chan) 生的光學參數能通過200μm 的光纖以及簡單、高性價(jia) 比的光學元件來實現。 T-BAR 芯片由多個(ge) 單管組成，在每個(ge) 單獨的生產(chan) 步驟的處理中，相對於(yu) 多個(ge) 單管擁有更簡便，成本更低的集成優(you) 勢。
    根據可拓展概念，DILAS 將於(yu) 不久正式推出更多的模塊，如976nm 波長，200W 功率，200μm 光纖模塊。
    這些光纖耦合多陣列模塊除了非常適合直接的半導體(ti) 激光器工業(ye) 加工應用外，同時也是作為(wei) 光纖激光器或固體(ti) 激光器泵浦源的理想選擇。