氣體(ti) 工業(ye) 名詞術語（標準氣體(ti) 、高純氣體(ti) 、特種氣體(ti) ）

1. 特種氣體(ti) 　(Specialty gases) ：指那些在特定領域中應用的, 對氣體(ti) 有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質氣體(ti) 配製的二元或多元混合氣。特種氣體(ti) 門類繁多, 通常可區分為(wei) 電子氣體(ti) 、標準氣、環保氣、醫用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用於(yu) 電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環境監測、醫學研究及診斷、食品保鮮等領域。

2.  標準氣體(ti) 　(Standard gases) ：標準氣體(ti) 屬於(yu) 標準物質。標準物質是高度均勻的、良好穩定和量值)準確的測定標準, 它們(men) 具有複現、保存和傳(chuan) 遞量值的基本作用, 在物理、化學、生物與(yu) 工程測量領域中用於(yu) 校準測量儀(yi) 器和測量過程, 評價(jia) 測量方法的準確度和檢測實驗室的檢測能力, 確定材料或產(chan) 品的特性量值, 進行量  值仲裁等。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業(ye) , 在裝置開車、停車和正常生產(chan) 過程中需要幾十種純氣和幾百種多組分標準混合氣, 用來校準、定標生產(chan) 過程中使用的在線分析儀(yi) 器和分析原料及產(chan) 品質量的儀(yi) 器。標準氣還可用於(yu) 環境監測, 有毒的有機物測量, 汽車排放氣測試, 天然氣BTU 測量, 液化石油氣校正標準, 超臨(lin) 界流體(ti) 工藝等。標準氣視氣體(ti) 組分數區分為(wei) 二元、三元和多元標準氣體(ti) ; 配氣準度要求以配氣允差和分析允差來表征;比較通用的有SE2M I 配氣允差標準, 但各公司均有企業(ye) 標準。組分的最低濃度為(wei) 10- 6級, 組分數可多達20餘(yu) 種。配製方法可采用重量法, 然後用色譜分析校核, 也可按標準傳(chuan) 遞程序進行傳(chuan) 遞。

3、電子氣體(ti) 　(Elect ron ic gases) ：半導體(ti) 工業(ye) 用的氣體(ti) 統稱電子氣體(ti) 。按其門類可分為(wei) 純氣、高純4 _6 m+ p- _4氣和半導體(ti) 特殊材料氣體(ti) 三大類。特殊材料氣體(ti) 主要用於(yu) 外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體(ti) 主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體(ti) 是特種氣體(ti) 的一個(ge) 重要分支。電子氣體(ti) 按純度等級和使用場合，可分為(wei) 電子級、L S I (大規模集成電路) 級、VL S I (超大規模集成電路) 級和UL S I (特大規模集成電路)級。   

4. 外延氣體(ti) 　(Cp itax ial gases) ：在仔細選擇的襯底上采用化學氣相澱積(CVD) 的方法生長一層或多層材料所用氣體(ti) 稱為(wei) 外延氣體(ti) 。矽外延氣體(ti) 有4 種, 即矽烷、二氯二氫矽、三氯氫矽和四氯化矽, 主要用於(yu) 外延矽澱積, 多晶矽澱積, 澱積氧化矽膜, 澱積氮化矽膜, 太陽電池和其他光感受器的非晶矽膜澱積。外延生長是一種單晶材料澱積並生長在襯底表麵上的過程。此外延層的電阻率往往與(yu) 襯底不同。

5. 蝕刻氣體(ti) 　(Etch ing gases) ：蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表麵如氧化矽膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來, 這樣便在基片表麵得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表麵無損傷(shang) 和鑽蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和幹法化學蝕刻。幹法蝕刻所用氣體(ti) 稱蝕刻氣體(ti) , 通常多為(wei) 氟化物氣體(ti) , 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。幹法蝕刻由於(yu) 蝕刻方向性強、工藝控製精確、方便、無脫膠現象、無基片損傷(shang) 和沾汙, 所以
其應用範圍日益廣泛。  
1.  特種氣體(ti) 　(Specialty gases) ：指那些在特定領域中應用的, 對氣體(ti) 有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質氣體(ti) 配製的二元或多元混合氣。特種氣體(ti) 門類繁多, 通常可區分為(wei) 電子氣體(ti) 、標準氣、環保氣、醫用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用於(yu) 電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環境監測、醫學研究及診斷、食品保鮮等領域。

2、 標準氣體(ti) 　(Standard gases) ：標準氣體(ti) 屬於(yu) 標準物質。標準物質是高度均勻的、良好穩定和量值準確的測定標準, 它們(men) 具有複現、保存和傳(chuan) 遞量值的基本作用, 在物理、化學、生物與(yu) 工程測量領域中用於(yu) 校. d( [準測量儀(yi) 器和測量過程, 評價(jia) 測量方法的準確度和檢測實驗室的檢測能力, 確定材料或產(chan) 品的特性量值, 進行量值仲裁等。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業(ye) , 在裝置開車、停車和正常生產(chan) 過程中需要幾十種純氣和幾+百種多組分標準混合氣, 用來校準、定標生產(chan) 過程中使用的在線分析儀(yi) 器和分析原料及產(chan) 品質量的儀(yi) 器。標準氣還可用於(yu) 環境監測, 有毒的有機物測量, 汽車排放氣測試, 天然氣BTU 測量, 液化石油氣校正標準, 超臨(lin) 界流體(ti) 工藝等。標準氣視氣體(ti) 組分數區分為(wei) 二元、三元和多元標準氣體(ti) ; 配氣準度要求以配氣允差和分析允差來表征;比較通用的有SE2M I 配氣允差標準, 但各公司均有企業(ye) 標準。組分的最低濃度為(wei) 10- 6級, 組分數可多達20餘(yu) 種配製方法可采用重量法, 然後用色譜分析校核, 也可按標準傳(chuan) 遞程序進行傳(chuan) 遞。

3、 電子氣體(ti) 　(Elect ron ic gases) ：半導體(ti) 工業(ye) 用的氣體(ti) 統稱電子氣體(ti) 。按其門類可分為(wei) 純氣、高純氣和半導體(ti) 特殊材料氣體(ti) 三大類。特殊材料氣體(ti) 主要用於(yu) 外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體(ti) 主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體(ti) 是特種氣體(ti) 的一個(ge) 重要分支。電子氣體(ti) 按純度等級和使用場合，可分為(wei) 電子級、L S I (大規模集成電路) 級、VL S I (超大規模集成電路) 級和UL S I (特大規模集成電路)級。  
 

4. 外延氣體(ti) 　(Cp itax ial gases) ：在仔細選擇的襯底上采用化學氣相澱積(CVD) 的方法生長一層或多層材料所用氣體(ti) 稱為(wei) 外延氣體(ti) 。矽外延氣體(ti) 有4 種, 即矽烷、二氯二氫矽、三氯氫矽和四氯化矽, 主要用於(yu) 外延矽澱積, 多晶矽澱積, 澱積氧化矽膜, 澱積氮化矽膜, 太陽電池和其他光感受器的非晶矽膜澱積。外延生長是一種單 晶材料澱積並生長在襯底表麵上的過程。此外延層的電阻率往往與(yu) 襯底不同。

5. 蝕刻氣體(ti) 　(Etch ing gases) ：蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表麵如氧化矽膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來, 這樣便在基片表麵得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表麵無損傷(shang) 和鑽蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和幹法化學蝕刻。幹法蝕刻所用氣體(ti) 稱蝕刻氣體(ti) , 通常多為(wei) 氟化物氣體(ti) , 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。幹法蝕刻由於(yu) 蝕刻方向性強、工藝控製精確、方便、無脫膠現象、無基片損傷(shang) 和沾汙, 所以其應用範圍日益廣泛。

6. 摻雜氣體(ti) (Dopant Gases)：在半導體(ti) 器件和集成電路製造中, 將某種或某些雜質摻入半導體(ti) 材料內(nei) , 以使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率, 用來製造PN結、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體(ti) 摻雜源被稱為(wei) 摻雜氣體(ti) 。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與(yu) 運載氣體(ti) (如氬氣和氮氣) 在源櫃中混合, 混合後氣流連續流入擴散爐內(nei) 環繞晶片四周, 在晶片表麵沉積上化合物摻雜劑, 進而與(yu) 矽反應生成摻雜金屬而徙動進入矽。#p#分頁標題#e#

7. 熏蒸氣體(ti) (Sterilizing Gases) ：具有殺菌作用的氣體(ti) 稱熏蒸氣體(ti) 。常用的氣體(ti) 品種有環氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用, 使微生物組織內(nei) 維持生命不可缺少的物質惰化。最經常使用的是以不同比例配製的環氧乙烷和二氧化碳的混合氣, 根據用途不同, 環氧乙烷的含量可以是10 %、20 %和30 %等。也可采用環氧乙烷和氟利昂12 的混合氣,環氧乙烷與(yu) 氟利昂11 和氟利昂12 的混合氣等。殺菌效果與(yu) 各組分濃度、溫度、濕度、時間和壓力等因素有關(guan) 。熏蒸氣體(ti) 可以用於(yu) 衛生材料、醫療器具、化妝品原料、動物飼料、糧食、紙鈔、香辣

8. 焊接保護氣體(ti) (Welding Gases)：氣體(ti) 保護焊由於(yu) 具有焊接質量好, 效率高, 易實現自動化等優(you) 點而得以迅速發展。焊接保護氣體(ti) 可以是單元氣體(ti) , 也有二元、三元混合氣。采用焊接保護氣的目的在於(yu) 提高焊縫質量, 減少焊縫加熱作用帶寬度, 避免材質氧化。單元氣體(ti) 有氬氣、二氧化碳, 二元混合氣有氬和氧, 氬和二氧化碳, 氬和氦, 氬和氫混合氣。三元混合氣有氦、氬、二氧化碳混合氣。應用中視焊材不同選擇不同配比的焊接混合氣。

9. 離子注入氣( Gases for Ion Implantation)：離子注入是把離子化的雜質, 例如P + 、B + 、As+加速到高能量狀態,然後注入到預定的襯底上。離子注入技術在控製V th(閾值電壓) 方麵應用得最為(wei) 廣泛。注入的雜質量可通過測量離子束電流而求得。離子注入工藝所用氣體(ti) 稱離子注入氣, 有磷係、硼係和砷係氣體(ti) 。

10. 非液化氣體(ti) (Nonliquefied Gases)：壓縮氣體(ti) 依據於(yu) 一定壓力和溫度下在氣瓶中的物理狀態和沸點範圍可以區分為(wei) 兩(liang) 大類, 即液化氣體(ti) 和非液化氣體(ti) 。非液化氣體(ti) 係指除溶解在溶液中的氣體(ti) 之外, 在2111 ℃和罐裝壓力下完全是氣態的氣體(ti) 。也可定義(yi) 為(wei) 在正常地麵溫度和13789～17237kPa 壓力下不液化的氣體(ti) 。

11. 液化氣體(ti) ( Liquefied Gases )：在2111 ℃和罐裝壓力下部分液化的氣體(ti) 。或定義(yi) 為(wei) 在正常溫度和172142～17237kPa 壓力下在氣瓶中液化的氣體(ti) 。壓縮氣體(ti) (Compressed Gases) 　壓縮氣體(ti) 是指在2111 ℃下, 在氣瓶中絕對壓力超過27518kPa 的任何氣體(ti) 或混合物; 或與(yu) 2111 ℃下的壓力無關(guan) , 於(yu) 5414 ℃下絕對壓力超過717kPa 的任何氣體(ti) 或混合物; 或於(yu) 3718 ℃下氣體(ti) 絕對壓力超27518kPa 的任何液體(ti) 。

12. 稀有氣體(ti) (Rare Gases)：元素周期表最後一族的六種惰性氣體(ti) 中的任何一種氣體(ti) , 即氦、氖、氬、氪、氙、氡。前五種氣體(ti) 均可以空氣分離方法從(cong) 空氣中提取。 

13. 低壓液化氣體(ti) (Low P ressu re L iquef ied Gases) ：臨(lin) 界溫度大於(yu) 70℃的氣體(ti) 。區分為(wei) 不燃無毒和不燃有毒、酸性腐蝕性氣體(ti) ; 可燃無毒和可燃有毒、酸性腐蝕性氣體(ti) ; 易分解或聚合的可燃氣體(ti) 。此類氣體(ti) 在充裝時以及在允許的工作溫度下貯運和使用過程中均為(wei) 液態。包括的氣體(ti) 品種有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟環丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光氣、氟化氫、溴化氫、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液壓石油氣、丙烷、環丙烷、丙烯、正丁烷、異丁烷、1- 丁烯、異丁烯、順- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氫、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3—丁二烯、氯乙烯、環氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。

14.  高壓液化氣體(ti) (H igh P ressu re L iquef iedGases) ：臨(lin) 界溫度大於(yu) 或等於(yu) - 10℃且小於(yu) 或等於(yu) 70℃的氣體(ti) 。區分為(wei) 不燃無毒和不燃有毒氣體(ti) ; 可燃無毒和自燃有毒氣體(ti) ; 易分解或聚合的可燃氣體(ti) 。此類氣體(ti) 充裝時為(wei) 液態,但在允許的工作溫度下貯運和使用過程中其蒸汽壓隨溫度的升高而升高, 超過臨(lin) 界溫度時蒸發為(wei) 氣體(ti) 。所包括的氣體(ti) 品種有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氫、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、矽烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。