電光調Q 開關(guan) 是利用晶體(ti) 的電光效應製成的Q 開關(guan) 。電光調Q 開關(guan) 的開關(guan) 速度快、器件的效率高；可以根據激光脈衝(chong) 在諧振腔裏的傳(chuan) 輸情況進行精確控製，因此激光與(yu) 其它聯動的儀(yi) 器可以獲得高精度的同步；電光調Q 裝置還有破壞閾值高、重複頻率高以及係統工作較穩定等突出優(you) 點。
    常用的電光調製晶體(ti) 有LiNbO3、KD*P、BBO，為(wei) 實現不同的激光器參數應選擇不同的電光調製晶體(ti) 。在要求低功率輸出情況下，KD*P 晶體(ti) 是不錯的選擇，它相對於(yu) LiNbO3有較大的抗損傷(shang) 閾值和弱的壓電振鈴效應。但是KD*P 晶體(ti) 單通損耗約為(wei) 2.5%，這使得KD*P 晶體(ti) 在平均輸出功率約為(wei) 兩(liang) 瓦時產(chan) 生很明顯的熱透鏡效應，致使局部峰值功率密度超過光學元器件的損傷(shang) 閾值。
    LiNbO3普克爾盒損耗低，它的單程吸收損耗約為(wei) 0.5%，熱聚焦和熱透鏡效應可以忽略，可在高功率下工作，但是LiNbO3普克爾盒損傷(shang) 閾值低（500MW/cm2），並且有比KD*P 晶體(ti) 更為(wei) 嚴(yan) 重的壓電振鈴效應，這個(ge) 缺陷決(jue) 定了LiNbO3不能工作在更高的重複頻率下。
    BBO 晶體(ti) 是應用於(yu) 再生放大器的最佳普克爾盒晶體(ti) 材料， BBO 晶體(ti) 的單次損傷(shang) 閾值高達50GW/cm2@12ns,多次損傷(shang) 閾
值為(wei) 23GW/cm2。高損傷(shang) 閾值、弱的壓電振鈴效應以及低的插入損耗使得BBO 晶體(ti) 非常適用於(yu) 高峰值功率和高平均功率的半導體(ti) 泵浦和燈泵浦電光調製固體(ti) 激光器。