作者：Ernst Bron

恩智浦半導體(ti)

任何非同步直流/直流轉換器都需要一個(ge) 所謂的續流二極管。為(wei) 了優(you) 化方案的整體(ti) 效率，通常傾(qing) 向於(yu) 選擇低正向電壓的肖特基管。很多設計都采用一個(ge) 轉換器設計(網絡)工具推薦的二極管。這並非總是二極管的最優(you) 選擇。更何況，如果設計工具不考慮熱性能和漏電流之間的動態變化，則極有可能發生實際性能有別於(yu) 設計工具的分析或模擬出的結果。本文將探討一些在選擇正確的二極管時應仔細考慮的典型參數，以及如何應用這些參數來快速確定選型的正確與(yu) 否。

檢查損耗

圖1給出了非同步直流/直流降壓轉換器的基本框圖。D1是所需的肖特基管。左側(ce) 是開關(guan) S1閉合時(時間為(wei) T1)的電流情況，右側(ce) 是開關(guan) S1打開時(時間為(wei) T2)的電流情況。

當時間為(wei) T2時，輸出電流(Iout)流經D1。所產(chan) 生的損耗與(yu) D1的正向電壓(Vfw)和輸出電流直接相關(guan) 。PT2等於(yu) Iout*Vfw。顯然，我們(men) 希望盡可能降低以控製損耗，減少發熱。

T1期間，D1處於(yu) 阻斷狀態。唯一的電流是反向電流。此電流相對較弱，並且主要由阻斷電壓或輸入電壓Vin決(jue) 定。T1階段二極管產(chan) 生的功耗，稱為(wei) PT1，大致等於(yu) Ir*Vin。

對於(yu) 任何肖特基二極管，在設計時都存在一個(ge) 取舍。即此設備要麽(me) 針對低Vf進行優(you) 化，要麽(me) 針對低Ir進行優(you) 化。因此，如果選擇低Vf，則Ir就較高，反之亦然。在實際應用設計時，重要的是不僅(jin) 要觀察Vf或Ir的值，還要分析它們(men) 在實際操作中會(hui) 產(chan) 生什麽(me) 結果。Vf和Ir都會(hui) 隨溫度變化而改變。當溫度升高，Vf會(hui) 降低，在二極管升溫的同時降低了熱擴散。但非常不幸的是，Ir會(hui) 隨著二極管溫度升高而增加。所以，二極管溫度越高，漏電流就越多，內(nei) 部功耗就越多，這樣就使得二極管溫度更高，從(cong) 而再次增加漏電流，如此循環。

如果堅持采用基本的非同步直流/直流轉換器的設計案例，不妨做一個(ge) 基本分析以確定二極管內(nei) 部功耗和由此導致的設備溫度。直流/直流轉換器的運行占空比與(yu) 電壓輸入輸出的比值直接相關(guan) (DC=Vout/Vin)。電壓輸入和輸出的比值越低，T2的時間就越長，PT2對整個(ge) 二極管的功耗影響也就越大。反之亦然，T1越長(或和的比值越高)，PT2對總功耗的影響就越小，PT1的作用就越大。

以兩(liang) 個(ge) 直流/直流轉換器為(wei) 例，兩(liang) 個(ge) 都是24V輸入電壓，但其中一個(ge) 是18V輸出電壓而另一個(ge) 是5V。使用Vin和Vout的比值計算得到占空比，並且使用數據表中的Vf和Ir值計算出二極管內(nei) 總功率的損失。然後根據總功耗計算出由此導致的二極管溫度，並查找在此溫度下的Vf和Ir實際數值。最後根據新的二極管溫度重新算出內(nei) 部功耗。這個(ge) 迭代過程可以重複多次以提高精確度，但如果隻想大致表明Vf和Ir的不同取舍所產(chan) 生的影響，單次迭代就足夠了。

設備溫度可使用描述熱性質的基本熱方程計算，和用於(yu) 描述電壓，電流，電阻的計算並無不同。一旦知道了設備的內(nei) 部功耗(Ptot)，就可以用它乘以結點到環境的熱阻(Rtja)，計算出設備結點處的溫度變化。把它加上環境溫度，就得到了該設備在此功耗和環境溫度下的最終結點溫度。

圖2表示的是分析結果。此例中的計算使用了PMEG3050BEP(優(you) 化為(wei) 低Ir)和PMEG3050EP(優(you) 化為(wei) 低Vf)二極管。輸出電流範圍為(wei) 1~3A。這裏比較了低Vf型和低Ir型二極管的溫度。初始溫度假定為(wei) 25℃。圖中同時給出了Ta(第一次傳(chuan) 遞溫度計算)和Tb(第二次傳(chuan) 遞)。左側(ce) 是5V輸出的直流/直流轉換器的結果，右側(ce) 是18V輸出的直流/直流轉換器(兩(liang) 者的輸入電壓都是24V)。計算時假定Rtja采用基本的200K/W，然後根據占空比進行調節。肖特基二極管的數據表給出了瞬時熱效應曲線，允許設計者根據具體(ti) 的脈衝(chong) 占空比(短暫脈衝(chong) 電流的熱效應要優(you) 於(yu) 連續電流)決(jue) 定實際的熱阻。請注意，任何應用中的二極管總熱阻取決(jue) 於(yu) 很多因素，布局是其中較為(wei) 重要的一個(ge) 。

在圖2中可以發現，在上述兩(liang) 種情況中，在第二次溫度傳(chuan) 遞Tb時，低Vf的二極管開始變熱。其中的原理是，在電流一定的情況下，二極管因在T2時產(chan) 生損耗而變熱。隨著二極管溫度升高，漏電流If增加，正向電壓Vf減少。然而，增加的速度遠高於(yu) 減少的速度。其結果就是二極管內(nei) 的總功耗增加較快。在較高的輸出電流下PT2也較高，使得PT1增加較快，所以在高電流下斜率較為(wei) 陡峭。

同樣，從(cong) 中也能看到輸入輸出電壓比的效果。左側(ce) 顯示的是5V輸出、低占空比直流/直流轉換器。占空比較低意味著T2較長，PT2就更多。因此，較多的初始熱量導致Ir增加更快，PT1更高。最終結果就是隨著輸出電流增加，二極管溫度迅速上升。在較高的電流下，可以看到事實上溫度已超出了指定範圍之外。右側(ce) 顯示較高的18V輸出電壓導致更高的占空比，從(cong) 而抑製了PT2。二極管內(nei) 較少的發熱量意味著Ir增加較少，因此，PT1和總體(ti) 溫度也都增加較少。

可以得出結論，占空比越高(或者說輸出電壓和輸入電壓越接近)，二極管的熱效應就越佳。例如，如果如前述計算，12V到2.5V的轉換器要比12V到5V的轉換器更能加重二極管的負擔。

熱逃逸

以上討論的隨溫度升高而增加的效應會(hui) 帶來一個(ge) 普遍問題，叫作熱逃逸。升高的溫度會(hui) 導致溫度進一步升高，直到部件損壞。因此，強烈建議在所有設計中徹底檢查此現象。

目前常見的做法是對功耗設計進行模擬運行。可以使用標準的模擬工具，也可使用網上常用的模擬工具。仔細檢查熱效應是非常必要的。對於(yu) 打算使用的二極管，極有可能所使用的工具並未采用正確的熱模型，或者其熱參數(很可能和布局相關(guan) )與(yu) 設計不相符合。很顯然，並非每個(ge) 二極管都一模一樣，因而絕對不讚同在模擬設計時使用“相似”的二極管，然後假定它們(men) 的熱效應(以及潛在的電效應)也相似。雖然並非總是可行，但在此仍然建議始終製作原型並驗證其正確效應。