Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，並滿足空間局限的便攜式產(chan) 品設計要求，如智能手機及平板計算機等。

這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝，並具有極低的導通電阻 (RDS(on)) 特性，能將傳(chuan) 導損耗降至最低水平，從(cong) 而延長電池壽命。例如在VGS為(wei) 4.5V的條件下，該MOSFET的導通電阻僅(jin) 為(wei) 29mΩ，這比其最接近的競爭(zheng) 對手產(chan) 品的導通電阻性能還要優(you) 越15%，有利於(yu) 電源中斷及一般負載開關(guan) 的應用。

DFN1616的標準離板剖麵為(wei) 0.5毫米，比其對手的產(chan) 品薄20%，並隻占2.56平方毫米的印刷電路板麵積 (PCB)，比競爭(zheng) 對手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節省55%的空間。

同時，DMP1245UFCL為(wei) 用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強保護。該MOSFET的額定閘極保護為(wei) 3kV，比同類產(chan) 品高出50%，因此對人為(wei) 產(chan) 生的靜電放電所造成的影響有很強的抵禦作用。