德州儀(yi) 器 (TI) 宣布麵向高電流 DC/DC 應用推出業(ye) 界第一個(ge) 通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET產(chan) 品係列。相對其它標準尺寸封裝的產(chan) 品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET有助於(yu) 縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高50%，並改進散熱管理。更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/dualcool-prcn 。

該係列包含的 5 款 NexFET器件支持計算機與(yu) 電信係統設計人員使用具有擴充內(nei) 存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET可廣泛用於(yu) 各種終端應用，其中包括台式個(ge) 人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業(ye) 係統等。

TI 高級副總裁兼電源管理全球經理 Steve Anderson 指出：“我們(men) 的客戶需要具有更小體(ti) 積和更高電流的 DC/DC電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET能夠以不變的幾何尺寸傳(chuan) 輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”

DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與(yu) 優(you) 勢：

• 作為(wei) 單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個(ge) MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC應用中的高、低側(ce) 兩(liang) 種開關(guan) 需求；
• 增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從(cong) 10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從(cong) 而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；
• 高效的雙麵散熱技術可將允許通過 FET 的電流提高50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；
• 業(ye) 界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設計、降低成本，與(yu) 使用兩(liang) 個(ge) 標準5x6封裝相比，可節省 30mm2的空間。