氧化釩(VO_x)根據不同價(jia) 態表現出不同的電學特性，其電學和光學特性還與(yu) 薄膜的結構有關(guan) 。通過不同的沉積方法，可以得到不同態的氧化釩。目前製備氧化釩薄膜的方法有真空蒸鍍、濺射、氣相沉積和溶膠-凝膠法等。適當改變製備條件可以製得不同結構的氧化釩薄膜, 這種結構對薄膜的性能會(hui) 產(chan) 生明顯的影響。

    光電子科學與(yu) 工程學院“微納光電子技術團隊”一直從(cong) 事氧化釩材料的研究。課題組通過磁控濺射係統，製備了一種新型納米結構亞(ya) 穩態的單斜晶係VO₂(B)薄膜。測試結果表明薄膜的方塊電阻在室溫下為(wei) 20~50k?，退火前的電阻溫度係數高達-7%/K。通過掃描電鏡顯微鏡測試，VO₂(B)微晶的平均晶粒直徑在100nm至250nm之間。退火之後，VO₂(B)轉變為(wei) 單斜晶係的VO₂(M)，平均晶粒直徑減小到20nm至50nm之間。通過這種兩(liang) 步生長的方法，可以製備出兩(liang) 種氧化釩，一種具有較高的電阻溫度係數，這會(hui) 促進其在高靈敏度非製冷微測輻射熱計方麵的應用；另外一種則可作為(wei) 光開光的選擇，課題組在激光誘發的加熱測試係統下對樣片進行測試，開關(guan) 時間約為(wei) 50ms。

    該項研究得到了國家自然科學基金(60671004)以及新世紀優(you) 秀人才計劃(NCET-07-0319)的支持，結果發表在Optics Express(2009，17,(26): 24153-24161)上。