1 引言

　　隨著電力電子技術的飛速發展，晶閘管軟起動裝置應運而生。三相異步電動機的起停技術發生了劃時代的變化。晶閘管軟起動產(chan) 品問世不過30年左右的時間，而其主要性能卻大大優(you) 於(yu) 磁控軟起動、液阻軟起動等傳(chuan) 統軟起動方式。它的體(ti) 積小，結構緊湊，幾乎免維護，功能齊全，起動重複性好，保護周全，目前已成為(wei) 軟起動領域中的佼佼者。

2 晶閘管簡介

　　晶閘管（thyristor）是晶體(ti) 閘流管的簡稱，又可稱做可控矽整流器，以前被簡稱為(wei) 可控矽；1957年美國通用電器公司開發出世界上第一個(ge) 晶閘管產(chan) 品，並於(yu) 1958年使其商業(ye) 化；晶閘管是pnpn四層半導體(ti) 結構，它有三個(ge) 極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為(wei) ：加正向電壓且門極有觸發電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guan) 型半導體(ti) 器件，在電路中用文字符號為(wei) “v”、“vt”表示（舊標準中用字母“scr”表示）。

　　晶閘管具有矽整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控製、被廣泛應用於(yu) 可控整流、交流調壓、無觸點電子開關(guan) 、逆變及變頻等電子電路中。

3 晶閘管參數說明

　　為(wei) 了正確地選擇和使用晶閘管，對其主要參數應有所了解才能正確地選型。晶閘管的主要參數有：

　　（1）斷態重複峰值電壓udrm

　　是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在a、k，如圖1所示，a是晶閘管的陽極，k是晶閘管的陰極，g是晶閘管的門極。極間最大的峰值電壓。此電壓約為(wei) 不重複峰值電壓udsm的90%。

　　（2）反向重複峰值電壓urrm

　　在控製極斷路時，允許重複加在晶閘管上的反向峰值電壓，稱為(wei) 反向阻斷峰值電壓。此電壓約為(wei) 不重複峰值電壓ursm的90%。

　　udrm和urrm在數值上一般相近，統稱為(wei) 晶閘管的阻斷峰值電壓。通常把其中較小的那個(ge) 數值作為(wei) 該型號器件上的額定電壓值。

　　由於(yu) 瞬時過電壓也會(hui) 使晶閘管損壞，因此晶閘管的額定電壓應選為(wei) 正常工作峰值電壓的2～3倍，以確保安全。

   （3）額定正向平均電流if#p#分頁標題#e#

　　在規定的標準散熱條件和環境溫度（40℃）下，晶閘管的陽極和陰極間允許連續通過的工頻正弦半波電流的平均值，稱為(wei) 額定正向平均電流。

　　由於(yu) 晶閘管的過載能力小，選用晶閘管的額定正向平均電流時，至少應大於(yu) 正常工作平均電流的1.5～2倍，以留有一定的餘(yu) 地。

　　（4）維持電流ih

　　在室溫下，控製極開路時，維持晶閘管繼續導通所必須的最小電流，稱為(wei) 維持電流。當正向電流小於(yu) ih值時，晶閘管就自行關(guan) 斷。ih值一般為(wei) 幾十至一百多毫安。

　　（5）控製極觸發電壓vg、觸發電流ig

　　在室溫下，陽極加正向電壓為(wei) 直流6v時，使晶閘管由阻斷變為(wei) 導通所需要的最小控製極電壓和電流，稱為(wei) 控製極觸發電壓和觸發電流。vg一般為(wei) 3.5～5v，ig約為(wei) 幾十至幾百毫安。實際應用時，加到控製極的觸發電壓和觸發電流應比額定值稍微大點，以保證可靠觸發。

　　（6）電壓上升率dv/dt

　　晶閘管阻斷時其陰陽極之間相當於(yu) 一個(ge) 結電容當突加陽極電壓時會(hui) 產(chan) 生充電電容電流，此電流可能導致晶閘管誤導通，因此對管子的最大正向電壓上升率必須加以限製，一般采用阻容吸收元件並聯在晶閘管兩(liang) 端的辦法加以限製。

　　（7）電流上升率di/dt

　　晶閘管開通時電流是從(cong) 靠近門極區的陰極開始導通然後逐漸擴展到整個(ge) 陰極區直至全部導通，這個(ge) 過程需要一定的時間，如陽極電流上升太快，使電流來不及擴展到整個(ge) 管子的pn結麵，造成門極附近的陰極因電流密度過大，發熱過於(yu) 集中pn結，結溫會(hui) 很快超過額定結溫而燒毀晶閘管，故必須限定晶閘管的電流上升臨(lin) 界值di/dt，一般在橋臂中串入電感或鐵淦氧磁環。