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激光電源

開關電源如何選擇電容

星之球激光 來源:電子工程網2013-02-27 我要評論(0 )   

開關(guan) 電源用於(yu) 對這些電源進行控製,由於(yu) 具有顯著優(you) 點,開關(guan) 電源已成為(wei) 大部分電子產(chan) 品的標準電源。電容可用來減少紋波並吸收開關(guan) 穩壓器產(chan) 生的噪聲,它還可以用於(yu) 後級穩壓...

開關(guan) 電源用於(yu) 對這些電源進行控製,由於(yu) 具有顯著優(you) 點,開關(guan) 電源已成為(wei) 大部分電子產(chan) 品的標準電源。電容可用來減少紋波並吸收開關(guan) 穩壓器產(chan) 生的噪聲,它還可以用於(yu) 後級穩壓,提高設備的穩定性和瞬態響應能力。電源輸出中不應出現任何紋波噪聲或殘留抖動。這些電路常采用鉭電容來降低紋波,但鉭電容有可能受到開關(guan) 穩壓器的噪聲影響而產(chan) 生不安全的瞬變現象。

 

  為(wei) 保證可靠工作,必須降低鉭電容的額定電壓。例如,額定值為(wei) 10uF/35VD型鉭電容,工作電壓應降低到17V,如果用在電源輸入端過濾紋波,額定35V鉭電容可在高達17V的電壓導軌上可靠地工作。

 

  高壓電源總線係統一般很難達到額定電壓降低50%的指標。這種情況限製了鉭電容用於(yu) 電壓導軌大於(yu) 28V的應用。目前,由於(yu) 鉭電容需要被降額使用,高壓濾波應用唯一可行的辦法是采用體(ti) 積較大且帶引線的電解電容,而不是鉭電容。

 

  新型鉭電容

 

  為(wei) 解決(jue) 降低額定電壓的問題,Vishay研發部門開發出了具有更高額定電壓等級的新係列SMD固體(ti) 鉭電容器,額定電壓高達75WVDC.50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導軌中的應用引起了設計人員的擔心,而采用Vishay新型的63V75V鉭電容,可達到額定電壓降低50%的行業(ye) 認可安全指標。電介質成形更薄、更一致,使SMD固體(ti) 鉭電容的額定電壓能夠達到75V,從(cong) 而實現了提高額定電壓的技術突破。成形工藝中對多道工序進行了改進:降低了成形加工過程中產(chan) 生的機械應力集中,降低了電容成形過程中電解液的局部過熱,提高了電介質成形過程中電解液濃度和純度的一致性。新型電容#p#分頁標題#e#T97係列的額定電壓達75V83係列達63V.

 

  無線感應耦合充電

 

  大量的感應充電器采用返馳式轉換器。感應充電為(wei) 醫療設備電池提供充電電能,同時,感應充電器也被用於(yu) 大量的便攜式設備(如牙刷)中。

 

  縮小充電電池尺寸有助於(yu) 減小采用無線感應充電電路的植入式醫療設備的體(ti) 積。無線感應充電器可為(wei) 設備上安裝的微小薄膜(如Cymbet EnerChip)充電式儲(chu) 能器件安全地充電。感應充電器采用了並聯LC(電感、電容)諧振儲(chu) 能電路的工作原理。圖1所示為(wei) Cymbet公司的CBC- EVAL-11 RF感應充電器評估套件。

 

  Vishay 595D係列1000uF鉭電容被用作Cymbet接收電路板的C5電容,為(wei) 無線電發射等負載提供脈衝(chong) 電流。此款感應充電器的輸入與(yu) 輸出之間具有良好的隔離,這是醫用設備的重要要求。

 

在一些電壓較高的感應充電器應用中,需要采用高壓穩定的電容作為(wei) 諧振電容。由於(yu) 感應充電器的初級線圈需要采用交流電壓驅動,因此必須對電容進行相應的調整。感應充電器需要具備高擊穿電壓(VBD)性能,同時,某些應用中還需要防護高壓電弧放電。為(wei) 避免電弧放電,電路板一般敷有保護塗層,或者通過合理安排元器件布局達到高壓側(ce) 與(yu) 電路板其他部分隔離的效果,等。但這種方法往往需要很大的電路板空間,因為(wei) 高壓電路通常采用體(ti) 積較大的引線型通孔插裝電容。

 

高壓電弧防護電容解決(jue) 方案

 

  為(wei) 解決(jue) 這一問題,Vishay推出了一係列的HVArc(高壓電弧)防護MLCC(多層貼片陶瓷電容),可防止電弧放電,同時節省空間。這些新器件在較高的電壓定額內(nei) 具有最大容量,並且提高了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會(hui) 造成斷路,並有可能損壞其他元器件。標準的高壓SMD電容最終將會(hui) 失效短路,這取決(jue) 於(yu) 電弧放電的次數和存在問題的部分。Vishay HVArc防護電容可以吸收所有的能量,因此,此電容能夠在高壓下進行正常工作,至少在達到高壓擊穿極限之前,不會(hui) 產(chan) 生破壞性電弧放電。

 

  HVArc防護電容的VBD分布由器件采用的獨特設計來控製,VBD可達3kV或以上。本產(chan) 品采用了NPOX7R電介質。

 

  用於(yu) MRI的新型無磁電容

 

  磁共振成像(MRI)設備內(nei) 部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質、電極材料或端接材料中可能含有鐵質或磁性材料。為(wei) 提高圖像分辨率,MRI係統的磁場水平不斷提高,而MRI室內(nei) 使用的電容會(hui) 造成磁場畸變。因此,需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。

 

  最新推出的係列MLCC在電極和端接結構中采用非鐵材料,來滿足消除磁化的要求。無磁結構可以采用#p#分頁標題#e#X7RNPO電介質。外形尺寸為(wei) 04021812,符合EIA規格。Vishay還在最終測試時采用了專(zhuan) 用電容分選設備,以確保所有無磁電容均能符合技術要求。

 

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