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光學元件

紫外探測器SG01S

星之球激光 來源：德國sglux公司2013-04-02 我要評論(0 )   

特性 UVA-UVB-UVC 最優(you) 化 UVC 輻射控製 SiC 芯片 固有的寬禁帶可見盲區半導體(ti) 材料 TO-18 金屬封裝 0.054mm2 敏感麵積 指標： 參數 符號 數值 單位 敏感麵積 A 0.054 mm2...

特性

Ø UVA-UVB-UVC

Ø 最優(you) 化UVC輻射控製

Ø SiC芯片

Ø 固有的寬禁帶可見盲區半導體(ti) 材料

Ø TO-18金屬封裝

Ø 0.054mm2敏感麵積

指標：

參數

符號

數值

單位

敏感麵積

A

0.054

mm2

暗電流（1V偏置電壓）

Id

1

fA

電容

C

21

pF

短路電流（200μW/cm2，波長300nm）

#p#分頁標題#e#I0

ca.70

nA

擊穿電壓

VBR

>3

V

峰值最小響應度

Smax

0.13

A/W

響應中心波長λ

smax

285

nm

響應波長範圍（S=0.1*Smax）

 

-210-380

nm

可見盲區

Smax/S400nm

10000

 

工作溫度

Topt

-25-+70

°C

最大偏置電壓

VRmax

20

V

前行電流

IFmax

1

mA

總消耗功率25oC

Ptot

1

mW

 

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