激光技術水平主要表現在於(yu) 激光器技術水平及基於(yu) 此的應用。固體(ti) 激光器根據其能量大、峰值功率高、結構緊湊、牢固耐用等優(you) 點，廣泛應用於(yu) 工業(ye) 、國防、醫療、科研等方麵。但是傳(chuan) 統的固體(ti) 激光器通常采用高功率氣體(ti) 放電燈泵浦，其泵浦效率約為(wei) 3%到6%。泵浦燈發射出的大量能量轉化為(wei) 熱能，不僅(jin) 造成固體(ti) 激光器需采用笨重的冷卻係統，而且大量熱能會(hui) 造成工作物質不可消除的熱透鏡效應，使光束質量變差。

       加之泵浦燈的壽命約為(wei) 300小時，操作人員需花很多時間頻繁的換燈，中斷係統工作，使自動化生產(chan) 線的效率大大降低，但如果采用二極管泵浦的固體(ti) 激光器，則可以很好的避免這一點。要適應新環境下的應用，固體(ti) 激光器就必須向著全固化、超短脈衝(chong) 、短波長的方向發展，目前也取得了一定的成績，上海光機所強光光學開放研究實驗室成功建立了5.4太瓦(1012w)/46飛秒級小型化超強超短激光裝置，重複頻率每秒10次，穩定可靠，工作台麵占地不到10平米，光束質量優(you) 良，具備提供1018～1019w/cm2量級的超高超快強場能力。日本一技術開發機構經過實驗確認短波長的紫外線可製造線寬為(wei) 0.07微米的半導體(ti) 元件，實用化後可將存儲(chu) 元件的信息存儲(chu) 容量提高60倍。

       現在的半導體(ti) 元件加工技術多采用波長為(wei) 250納米的紫外線激光在線路板上曝光，能夠蝕刻線寬為(wei) 0.25至0.15微米的半導體(ti) 元件。由日本政府和企業(ye) 聯合組成的超尖端電子技術開發機構通過實驗確認，使用波長為(wei) 13納米的紫外線可加工線寬為(wei) 0.07微米的精細半導體(ti) 電路。