近期，上海光機所出槽一塊尺寸為(wei) 470mm×495mm×560mm（長×寬×柱麵高）長籽晶快速生長的大口徑DKDP晶體(ti) ，這是國際上首次獲得的大口徑長籽晶DKDP晶體(ti) ，標誌著長籽晶快速生長DKDP晶體(ti) 技術得到成功驗證。相關(guan) 晶體(ti) 製備技術已經申請了專(zhuan) 利（公開號：CN 109943881A，CN110055579A）。 

研究團隊采用長籽晶點晶技術（籽晶長度320mm），在自主研發的1300型連續過濾晶體(ti) 生長槽中經過三個(ge) 多月生長成功出槽。初步測試結果表明，晶體(ti) 毛坯內(nei) 部透明度好，可以滿足無錐柱交界麵的大口徑二類混頻元件切割要求。 

長籽晶快速生長技術是上海光機所在第一代DKDP晶體(ti) 快速生長技術（雙錐生長技術）基礎上的又一突破。它耦合了傳(chuan) 統生長技術與(yu) 快速生長技術的優(you) 點，具有傳(chuan) 統生長技術無錐柱交界麵、快速生長技術生長周期短的優(you) 點，又兼具切片效率高的特點，為(wei) 國際高功率激光裝置建設所需DKDP晶體(ti) 生長提供了新方案。（激光與(yu) 紅外材料實驗室供稿） 

連續過濾長籽晶快速生長技術製備的DKDP晶體(ti)
（晶體(ti) 尺寸470mm×495mm×560mm，籽晶長度320mm）