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德州儀器推出麵向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET
德州儀(yi) 器 (TI) 宣布麵向高電流 DC/DC 應用推出業(ye) 界第一個(ge) 通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET產(chan) 品係列。相對其它標準尺寸封裝的產(chan) 品，DualCool NexFET 功率 MOSFET有助於(yu) 縮小終端設備的尺寸，同...
2011-12-05 -
使用簡易鎖存電路保護電源
您曾經是否需要過一款簡單、低成本的鎖存電路？ 圖 1 顯示的就是這樣一款電路，它隻需幾元錢的組件便可以提供電源故障保護，基本上是一個(ge) 可控矽整流器(SCR)，結合了一些離散組件。兩(liang) 個(ge) ...
2011-12-05 -
嵌入式係統中小功率開關電源的設計
0 引言 隨著計算機技術、半導體(ti) 技術以及電子應用技術的發展， 嵌入式 係統以其體(ti) 積小、可靠性高、功耗低、軟硬件集成度高等特點廣泛應用於(yu) 工業(ye) 控製、過程控製、儀(yi) 器儀(yi) 表、航天航空、汽...
2011-11-30 -
電源中常用的總線技術
1 前言 隨著IT技術對電源技術的滲透，數字電源技術應運而生，由於(yu) 數字電源的控製靈活、結構變化靈活、調節、維護方便和造價(jia) 低的一係列優(you) 點，代表了電源技術的發展方向。而在數字電源中...
2011-11-30 -
MOSFET驅動電路設計及應用
在使用MOS管設計開關(guan) 電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會(hui) 考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅(jin) 僅(jin) 考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優(you) 秀...
2011-11-29 -
電子輻照對功率雙極晶體管損耗分析（二）
3 係統測試結果 將四組不同的APT13003E 開關(guan) 晶體(ti) 管放入同一個(ge) 使用BCD半導體(ti) 公司研發的AP3765充電器係統中， 該充電器的功率是3W, 輸入交流電壓範圍是85V ~ 264 V, 輸出直流電壓是5 V.圖3所示為(wei) 85 V、...
2011-11-29 -
電子輻照對功率雙極晶體管損耗分析（一）
功率雙極晶體(ti) 管由於(yu) 其低廉的成本， 在開關(guan) 電源中作為(wei) 功率開關(guan) 管得到了廣泛的應用。應用電子輻照技術可以減小少子壽命， 降低功率雙極晶體(ti) 管的儲(chu) 存時間、下降時間， 提高開關(guan) 速度， 且...
2011-11-29 -
Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFETDMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，並滿足空間局限的便攜式產(chan) 品設計要求，如智能手機及平板計算機等。 這款新MOSFET采用超精密及高熱效率...
2011-11-29
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