中科院大連化學物理研究所潔淨能源國家實驗室太陽能研究部、催化基礎國家重點實驗室分子催化與(yu) 原位表征研究組（503組）李燦院士、張文華研究員領導的小組在太陽能電池新材料硒化錫（SnSe）的合成研究中取得進展。

太陽能電池材料硒化錫納米線化學合成研究取得進展

硒化錫是一種重要的IV-VI族半導體(ti) ，其體(ti) 相材料的間接帶隙為(wei) 0.90 eV，直接帶隙為(wei) 1.30 eV，可以吸收太陽光譜的絕大部分；作為(wei) 一種含量豐(feng) 富、環境友好且化學穩定的半導體(ti) 材料，硒化錫是新型太陽能電池潛在候選材料之一，因此其納米材料的合成受到人們(men) 的關(guan) 注。本工作利用溶液化學的優(you) 勢，采用晶種誘導的方法首次生長了直徑約20nm的SnSe單晶納米線，長度從(cong) 數百納米到數十微米可調。光譜表征表明，硒化錫單晶納米線顯示明顯的量子限域效應：其間接和直接帶隙分別達到1.12 eV和1.55 eV, 分別與(yu) 太陽能電池材料Si和CdTe的帯隙非常接近，顯示出該材料在發展新型太陽能電池方麵的潛力。

同時，研究小組還與(yu) 中科院長春光機所的劉星元研究員合作，組裝了基於(yu) P3HT和SnSe納米線的雜化太陽能電池，初步考察了硒化錫單晶納米線的光電性能。